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WSF70P03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 52.1W(Tc) 20V 2.5V@ 250uA 30V 9.5mΩ@ 10V,30A 57A 3448PF TO-252-2L
供应商型号: 31M-WSF70P03
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF70P03

WSF70P03概述

    WSF70P03 P-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:WSF70P03 是一款高性能的沟槽式 P 沟道 MOSFET,具备极高的单元密度。
    主要功能:WSF70P03 提供卓越的 RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性,适用于高频同步降压转换器、网络直流-直流电源系统和负载开关等应用。
    应用领域:
    - 高频点对点同步降压转换器(用于移动电话、笔记本电脑、超移动电脑和视频图形阵列)
    - 网络 DC-DC 电源系统
    - 负载开关

    2. 技术参数


    - 稳态电压(VDS):-30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(ID@TC=25℃, VGS@-10V):-57A
    - 连续漏电流(ID@TC=100℃, VGS@-10V):-36A
    - 脉冲漏电流(IDM):-180A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):408mJ
    - 总功率耗散(PD@TC=25℃):52.1W
    - 热阻(RθJA):1~62℃/W(取决于脉冲时间)
    - 热阻(RθJC):2.4℃/W
    - 栅阈电压(VGS(th)):-1.0 ~ -2.5V

    3. 产品特点和优势


    - 高级高密度单元沟槽技术:提供出色的 RDS(ON) 和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:提高效率。
    - 优异的 CdV/dt 效果下降:减少电压波动引起的噪声。
    - 100% 雪崩能量保证:确保可靠性能。
    - 绿色环保设备:符合 RoHS 和无卤要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频同步降压转换器:适用于移动设备的电源管理,如智能手机和平板电脑。
    - 网络 DC-DC 电源系统:为数据中心和服务器提供稳定的电力供应。
    - 负载开关:用于自动调节电路中的负载。
    使用建议:
    - 注意散热:由于较高的功率耗散,建议使用散热片或其他散热措施以避免过热。
    - 考虑脉冲宽度:当使用短脉冲时,应考虑热阻值的变化,以防止组件损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - WSF70P03 具有广泛的兼容性,可与大多数标准电路板和电路设计相兼容。
    支持:
    - WinSok 提供全面的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 过热问题:
    - 解决方案:安装散热片或冷却风扇以帮助散热。
    2. 驱动信号不稳定:
    - 解决方案:确保驱动电路的设计符合制造商的建议。
    3. 电气特性不达标:
    - 解决方案:检查测试条件是否符合手册中的规定,重新测试以确认。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - WSF70P03 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具备出色的 RDS(ON) 和栅极电荷特性,适用于各种高要求的应用场合。
    - 其紧凑的设计和绿色环保特性使其成为现代电子产品中理想的功率管理组件。
    推荐使用:
    - 我们强烈推荐使用 WSF70P03 在需要高性能和高可靠性的应用中,如高频同步降压转换器和网络 DC-DC 电源系统。

WSF70P03参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 52.1W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 10V,30A
FET类型 -
Id-连续漏极电流 57A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3448PF
通用封装 TO-252-2L
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WSF70P03数据手册

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WSF70P03封装设计

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