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WSP4886

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2W 1.2V@ 250uA 30V 24mΩ@ 10V,8.8A 8.5A SOP-8L 贴片安装
供应商型号: WSP4886 SOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4886

WSP4886概述

    WSP4886 双 N 沟道 MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSP4886 是一款高性能的双 N 沟道 MOSFET,适用于多种高频应用,如负载开关、网络 DC-DC 电源系统和点对点负载同步降压转换器。它具有极高的单元密度,能够提供优秀的 RDS(ON) 和栅极电荷,适用于大多数同步降压转换器应用。该产品符合 RoHS 和绿色环保要求,并保证 100% 单脉冲雪崩能量。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在 25°C 下:8.5 A
    - 在 70°C 下:7.0 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):40 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):20 mJ
    - 雪崩电流 (IAS):9 A
    - 总功耗 (PD):2.0 W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 至 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 至 150°C
    - 热阻(结到环境)(RθJA):90°C/W
    - 热阻(结到壳体)(RθJC):50°C/W
    - 特性参数
    - 击穿电压 (BVDSS):30 V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在 VGS=10V、ID=8.8A 下:18 mΩ
    - 在 VGS=4.5V、ID=5A 下:24 mΩ
    - 门限电压 (VGS(th)):0.5 V 至 1.2 V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 前向跨导 (gfs):6 S
    - 栅极电阻 (Rg):1.7 Ω 至 2.5 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):6 nC 至 8.4 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):1.5 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):2.5 nC
    - 导通延迟时间 (Td(on)):6 ns 至 8.8 ns
    - 上升时间 (Tr):8.2 ns 至 14 ns
    - 关断延迟时间 (Td(off)):16 ns 至 24 ns
    - 下降时间 (Tf):4 ns 至 8 ns
    - 输入电容 (Ciss):580 pF
    - 输出电容 (Coss):95 pF
    - 反向转移电容 (Crss):57 pF
    - 反向恢复特性
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):18 mJ
    - 最大反向恢复时间 (trr):12 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):3.5 nC

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提高了整体效率。
    - 超低栅极电荷:减少功耗并提高开关速度。
    - 优秀的CdV/dt效应下降:降低电磁干扰。
    - 100% EAS 保证:确保可靠性和安全性。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高频点对点负载同步降压转换器。
    - 网络 DC-DC 电源系统。
    - 负载开关。
    - 使用建议:
    - 确保散热设计良好,以避免过热。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计。
    - 避免超过最大额定值使用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他符合标准的电路板和系统兼容。
    - 支持:Winsok 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:温度过高导致过早失效
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的空气流通。
    - 问题 2:栅极损坏
    - 解决方案:使用合适的栅极驱动器,并确保正确的接地。
    - 问题 3:开关损耗过高
    - 解决方案:优化电路设计,减少开关频率或降低电压。

    总结和推荐


    WSP4886 双 N 沟道 MOSFET 具有优异的性能,非常适合各种高频应用。其先进的技术特性和可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。总体而言,该产品值得推荐给需要高性能 MOSFET 的应用场合。

WSP4886参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250uA
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 8.5A
配置 -
最大功率耗散 2W
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 10V,8.8A
通道数量 -
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装

WSP4886数据手册

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WSP4886封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.8824
15000+ ¥ 0.8559
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