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WSF12N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 60W(Tc) 2.4V@ 250uA 100V 220mΩ@ 10V,5A 10A TO-252-2L
供应商型号: 31M-WSF12N10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF12N10

WSF12N10概述


    产品简介


    WSF12N10 N-Ch MOSFET 是一款高性能的硅基功率半导体器件,基于先进的深槽技术设计而成。这款元器件具有极高的单元密度,能够提供卓越的导通电阻(Rdson)和栅极电荷特性,在同步降压转换器和其他高频电力电子系统中表现出色。它适用于多种高要求的应用场景,如网络设备的直流到直流转换器、点负载电源和负载开关。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源击穿电压 | 100 V |
    | VGS | 栅源击穿电压 | ±20 V |
    | ID | 持续漏极电流 (Tc=25°C) 10 A |
    | ID | 持续漏极电流 (Tc=100°C) 7 A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 15 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 15 | mJ |
    | AAS | 雪崩电流 6 A |
    | PD | 总功耗 (Tc=25°C) 60 W |
    | PD | 总功耗 (Tc=100°C) 30 W |
    | RθJA | 结-空气热阻 | 1 50 | °C/W |
    | RθJC | 结-外壳热阻 | 1 2.5 | °C/W |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | 100 V |
    | Rdson | 导通电阻 175 | 220 | mΩ |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | 1.0 | 1.8 | 2.4 | V |

    产品特点和优势


    1. 高效率与低损耗:采用先进的深槽技术,提供极低的导通电阻(典型值175mΩ),有效降低功耗,提高转换效率。
    2. 快速开关性能:具备优秀的雪崩能力和快速反向恢复时间(典型值36ns),适合高频开关电路。
    3. 绿色环保:符合RoHS标准及无卤素要求,环保可靠。
    4. 可靠性高:通过100%单脉冲雪崩能量测试,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 网络设备的DC-DC电源:用于路由器和交换机的直流电源系统,提升系统的转换效率和稳定性。
    - 点负载同步降压转换器:应用于服务器、通信设备中的负载点供电,减少发热并延长设备寿命。
    - 负载开关:在电机控制和工业自动化设备中作为高效的开关元件。
    使用建议:
    - 在高电流条件下,注意散热设计,避免过热导致性能下降。
    - 在设计时考虑总功耗限制,确保电流不超过额定值。
    - 配合滤波电容使用,减少输出纹波和噪声干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSF12N10与多种主流控制器和驱动芯片兼容,可直接替代同类产品,方便替换升级。
    - 技术支持:Winsok公司提供详尽的技术文档和在线支持,帮助客户快速完成设计和调试。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备温度过高 | 加强散热设计,使用更大尺寸的散热片或风扇。 |
    | 开关频率异常 | 检查驱动电路,确保驱动电压和频率匹配。 |
    | 导通电阻增大 | 检查焊接质量或重新施加适当的栅极驱动。 |

    总结和推荐


    WSF12N10 N-Ch MOSFET 是一款兼具高性能和可靠性的电子元器件,特别适合高频、高效率的电力电子应用。其先进的制造工艺和出色的电气特性使其在市场上具有强大的竞争力。推荐在需要高效能、低损耗和良好热管理的场景中使用此产品。无论是从技术性能还是应用适配性来看,WSF12N10都是一款值得信赖的选择。

WSF12N10参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
最大功率耗散 60W(Tc)
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@ 10V,5A
栅极电荷 -
通用封装 TO-252-2L
包装方式 卷带包装

WSF12N10数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSF12N10 WSF12N10数据手册

WSF12N10封装设计

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150+ ¥ 0.8776
500+ ¥ 0.7597
2500+ ¥ 0.6249
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