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WSF12N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 60W(Tc) 20V 2.4V@ 250uA N-Ch MOSFET 100V 220mΩ@ 10V,5A 10A 570pF TO-252-2L 贴片安装
供应商型号: 31M-WSF12N10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF12N10

WSF12N10参数

参数
配置 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@ 10V,5A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 570pF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 250uA
最大功率耗散 60W(Tc)
FET类型 N-Ch MOSFET
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
通用封装 TO-252-2L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WSF12N10数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSF12N10 WSF12N10数据手册

WSF12N10封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.1927
50+ ¥ 0.9722
150+ ¥ 0.8776
500+ ¥ 0.7597
2500+ ¥ 0.6249
库存: 4870
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.96
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