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WST6045

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WST2082 SOT-23-6L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST6045

WST6045概述

    WST6045 N-Ch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WST6045 是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具备极高的单元密度。这种MOSFET以其出色的 RDS(on)(导通电阻)和栅极电荷而著称,适用于多种小功率开关和负载开关应用。此外,WST6045 符合RoHS和绿色产品要求,且具有全面的功能可靠性认证。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 电流参数:
    - 连续漏电流(ID),TC=25℃:5.0 A(VGS @ 4.5V)
    - 连续漏电流(ID),TC=70℃:4.0 A(VGS @ 4.5V)
    - 脉冲漏电流(IDM):20 A
    - 功耗参数:
    - 总功耗(PD),TA=25℃:1.6 W
    - 温度参数:
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 150°C
    - 工作结温范围(TJ):-55°C 至 150°C
    - 热阻参数:
    - 热阻(RθJA):110 °C/W(结-环境)
    - 热阻(RθJC):80 °C/W(结-外壳)

    3. 产品特点和优势


    WST6045 的特点和优势包括:
    - 高单元密度: 极致的高密度单元设计使得其在空间受限的应用中表现优异。
    - 超低栅极电荷: 降低了整体电路的功耗和开关损耗。
    - 优秀的 Cdv/dt 效应下降: 提升了在高频应用中的稳定性和可靠性。
    - 绿色环保: 符合RoHS和绿色产品标准,有助于环保。

    4. 应用案例和使用建议


    WST6045 在便携式和电池供电产品中的电源管理、单节电池组保护等领域有广泛应用。例如,在手机充电器或小型电源适配器中,WST6045可以作为高效的开关元件,提供优良的能效比。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,避免超过最大工作温度范围。
    - 为确保安全运行,建议在使用前进行详细的测试和验证,特别是在关键应用中。

    5. 兼容性和支持


    WST6045 封装形式为SOT-23-6L,与现有的标准封装兼容。制造商提供了详细的技术支持和售后服务,以确保客户能够正确使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:漏电流过大
    - 解决方案:检查应用中的温度范围,确保不超过产品额定的工作温度。
    - 问题:功耗过高
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,必要时添加外部散热装置。

    7. 总结和推荐


    WST6045 N-Ch MOSFET 是一款高效、可靠的功率管理元件,适用于各种小功率开关和负载开关应用。其高密度单元、低栅极电荷和良好的 Cdv/dt 特性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐在需要高效能开关解决方案的应用中使用该产品。
    总的来说,WST6045 不仅具备出色的性能,还符合环保标准,是一款值得信赖的产品。对于需要高效率、可靠性的应用来说,WST6045 是一个绝佳的选择。

WST6045参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23-6L

WST6045数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST6045 WST6045数据手册

WST6045封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.0205
50+ ¥ 0.9605
150+ ¥ 0.8572
500+ ¥ 0.6423
3000+ ¥ 0.6183
9000+ ¥ 0.6003
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