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WSR45P10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 136W(Tc) 3V@ 250uA 100V 55mΩ@ 10V,20A 40A TO-220-3L
供应商型号: 14M-WSR45P10 TO-220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR45P10

WSR45P10概述

    WSR45P10 P-Ch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WSR45P10 是一款高性能的沟槽式 P 沟道 MOSFET,专为小功率开关和负载切换应用设计。它具有极高的单元密度,提供出色的 RDS(on)(导通电阻)和栅极电荷,确保在多种应用中的高效性能。此外,WSR45P10 符合 RoHS 和绿色环保产品要求,适用于各种工业和消费电子产品。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): -100V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大结温 (TJ): 175°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 至 175°C
    - 连续漏电流 (ID): -40A(在 25°C 时)
    - 脉冲漏电流 (IDM): -120A(在 25°C 时)
    - 最大耗散功率 (PD): 68W(在 100°C 时)
    - 热阻 (RθJC): 1.1°C/W
    - 热阻 (RθJA): 62.5°C/W
    - 雪崩能量 (EAS): 308mJ

    3. 产品特点和优势


    - 高级高密度沟槽技术: WSR45P10 采用先进的高密度沟槽技术,以实现低导通电阻和低栅极电荷。
    - 低栅极电荷: 有助于降低驱动损耗,提高效率。
    - 优异的 Cdv/dt 效应下降: 在快速开关过程中减少电磁干扰。
    - 绿色环保: 符合 RoHS 和绿色环保标准,对环境友好。
    - 全功能可靠性: 经过全面的功能可靠性测试,确保长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    WSR45P10 广泛应用于逆变器和其他需要高效率的小功率开关和负载切换应用中。例如,在电源管理模块中,WSR45P10 可以用于控制电池充电和放电过程中的开关操作,从而减少功耗并提高系统稳定性。建议在高温环境中使用时,应考虑散热措施,如加装散热片,以确保器件的正常工作。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型: TO-220AB
    - 兼容性: 与各种电源管理和开关电路兼容,便于集成到现有系统中。
    - 厂商支持: 赢速科半导体有限公司提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户在使用过程中得到及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: WSR45P10 的最大耗散功率是多少?
    - A: 最大耗散功率为 68W(在 100°C 时)。为了防止过热,建议在实际应用中监测结温,并采取必要的散热措施。

    - Q: 如何选择合适的散热器?
    - A: 选择散热器时,应根据最大耗散功率和热阻计算所需的散热能力。一般而言,散热器应能够有效带走芯片产生的热量,保持工作温度在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    WSR45P10 P-Ch MOSFET 凭借其高性能、低导通电阻和环保特性,成为市场上极具竞争力的产品。适合用于需要高效率的小功率开关和负载切换应用中。对于那些寻求高性能且环境友好的 MOSFET 的工程师和设计师来说,WSR45P10 是一个值得推荐的选择。

WSR45P10参数

参数
最大功率耗散 136W(Tc)
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 40A
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 10V,20A
通用封装 TO-220-3L

WSR45P10数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSR45P10 WSR45P10数据手册

WSR45P10封装设计

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