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WST3034

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 24mΩ@ 4.5V,6.2A 6.9A SOT-23-6L
供应商型号: 14M-WST3034
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3034

WST3034概述

    WST3034 N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WST3034 是一款高性能的沟槽式N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Ch MOSFET),特别适用于小功率开关和负载开关应用。该器件集成了先进的高密度沟槽技术和低门电荷特性,从而提供卓越的性能。WST3034 符合RoHS和绿色产品要求,具有全面的功能可靠性认证。
    主要

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):20V
    - 最大漏源电压 (VDS):20V
    - 最大栅源电压 (VGS):±12V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 (ID),25℃时:6.9A
    - 连续漏极电流 (ID),70℃时:4.9A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):20A
    - 热参数:
    - 热阻 (RθJA):150℃/W
    - 热阻 (RθJC):70℃/W
    - 静态参数:
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):22mΩ(20V,ID=6.9A)
    - 门阈值电压 (VGS(th)):0.5V ~ 1.5V
    - 反向恢复时间 (trr):16ns

    产品特点和优势


    - 高级高密度沟槽技术:显著提高电流处理能力和开关速度。
    - 超级低门电荷:减少功耗,提升能效。
    - 优秀的Cdv/dt效果下降:确保高速开关时的稳定性能。
    - 绿色设备可选:符合环保标准,适合绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    WST3034 广泛应用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理。在设计开关电路时,应注意以下几点:
    - 确保漏源电压不超过20V,以防止过压损坏。
    - 为了确保最佳性能,工作温度应保持在-55℃到150℃范围内。
    - 使用适当的散热措施,避免超过最大额定温度。

    兼容性和支持


    WST3034 封装形式为SOT-23-6L,与其他同类型封装的器件兼容。厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够快速解决问题并获得最佳性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度超出规定范围
    - 解决方法:检查并调整散热措施,确保工作温度在-55℃到150℃之间。
    2. 问题:过高的漏源电流
    - 解决方法:检查电路设计,确认电流不超限,必要时增加外部保护电路。
    3. 问题:逆向恢复时间过长
    - 解决方法:更换更高速度的MOSFET或优化驱动电路,减少逆向恢复时间。

    总结和推荐


    WST3034 N-Ch MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别是在电源管理和便携设备应用中表现优异。其高级特性和兼容性使其成为市场上极具竞争力的产品。综上所述,强烈推荐使用WST3034,无论是从性能还是性价比角度来看,都是一款值得信赖的电子元件。

WST3034参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 4.5V,6.2A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6.9A
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 SOT-23-6L

WST3034数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WST3034封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.9893
50+ ¥ 0.931
150+ ¥ 0.831
500+ ¥ 0.6226
3000+ ¥ 0.5994
9000+ ¥ 0.5819
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