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WST6401

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WST6401
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST6401

WST6401概述

    WST6401 P-Ch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WST6401是一款高性能的沟槽型P通道MOSFET,具有极高的单元密度。这款MOSFET特别适用于小功率开关应用和负载开关。由于采用了先进的高密度沟槽技术,WST6401具有出色的低栅极电荷和高开关频率特性。此外,它符合RoHS标准,是一个环保的产品选项。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±12 V
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -20 V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 \( ID \)(在 \( TC = 25^\circ C \)时):-2.5 A
    - 持续漏极电流 \( ID \)(在 \( TC = 70^\circ C \)时):-1.9 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -10 A
    - 功率参数
    - 总耗散功率 \( PD \)(在 \( TA = 25^\circ C \)时):0.7 W
    - 温度参数
    - 存储温度范围 \( T{STG} \): -55°C 到 150°C
    - 工作结温范围 \( TJ \): -55°C 到 150°C
    - 热阻抗
    - 结-环境热阻 \( R{\theta JA} \): 178°C/W
    - 结-外壳热阻 \( R{\theta JC} \): 80°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高级高密度沟槽技术:显著提升了开关速度和效率。
    - 超低栅极电荷:降低了驱动电路的复杂性和成本。
    - 出色的Cdv/dt效应下降:有助于减少电磁干扰(EMI)。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准,对环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 小功率开关:适用于移动便携式设备(如MB/NB/UMPC/VGA)。
    - 网络DC-DC电源系统:用于数据中心和其他网络设备。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,以确保工作温度不超过最大值。
    - 在驱动电路中选择合适的栅极电阻,以确保稳定的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WST6401与其他常见的SOT-23封装电子元器件兼容,可广泛应用于多种电路设计中。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括热管理指南和典型应用电路图。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET在高频开关过程中发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或采用更大的散热面积,确保良好的热管理。

    - 问题2:栅极驱动信号不稳定导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:选择适当的栅极电阻,以确保稳定的驱动信号,并确保所有接线都正确且牢固。

    7. 总结和推荐



    总结


    WST6401以其出色的性能和环保特性,在小功率开关和负载开关应用中表现出色。其先进的技术参数和设计使其成为现代电子设备的理想选择。
    推荐
    基于其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐WST6401 P-Ch MOSFET用于各种小功率和负载开关应用场景。

WST6401参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-23L

WST6401数据手册

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WST6401封装设计

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