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WSR90N07

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSR90N07 TO-220-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR90N07

WSR90N07概述

    WSR90N07 N-Ch MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    WSR90N07 是一款高性能的沟槽式 N 沟道 MOSFET,具有极高单元密度,特别适用于同步降压转换器的应用。此产品由 Winsok 公司生产,采用先进的高密度沟槽技术,具有超低栅极电荷和卓越的 CdV/dt 效应下降性能。

    技术参数


    以下是 WSR90N07 的主要技术参数和规格:
    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 72V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (VGS@10V, Tc=25°C): 84A
    - 连续漏极电流 (VGS@10V, Tc=100°C): 76A
    - 脉冲漏极电流: 310A
    - 功耗 (Tc=25°C): 181W
    - 线性降额因子 (Tc=25°C): 1.5W/°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 400mJ
    - 热阻 (RθJC): 0.83°C/W (典型值)
    - 热阻 (RθJA): 62°C/W (最大值)
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 72V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 7.2mΩ(典型值)
    - 总栅极电荷 (Qg): 90nC(典型值)
    - 输入电容 (Ciss): 3150pF(典型值)
    - 输出电容 (Coss): 300pF(典型值)
    - 反向传输电容 (Crss): 240pF(典型值)

    产品特点和优势


    WSR90N07 具有多项显著的特点和优势,使其在应用中表现出色:
    - 高密度单元设计: 提供极低的导通电阻和栅极电荷,特别适合同步降压转换器。
    - 超低栅极电荷: 减少开关损耗,提高效率。
    - 优秀的 CdV/dt 效应下降: 减小开关过程中的电压尖峰,减少EMI。
    - 100% EAS 保证: 提供可靠的安全操作区域。
    - 绿色设备可选: 环保材料选择,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    WSR90N07 主要应用于开关电源、电机驱动和负载控制等领域。例如,在同步降压转换器中,WSR90N07 可以提供高效、低损耗的电力转换。在实际使用时,需要注意以下几点:
    - 温度管理: 高温环境下需要考虑适当的散热措施,确保功耗在安全范围内。
    - 电流限制: 使用适当的小于或等于最大允许的脉冲漏极电流,避免损坏。

    兼容性和支持


    WSR90N07 在电气特性上具有良好的兼容性,可以与其他标准器件一起使用。Winsok 公司提供了详尽的技术支持文档和在线技术支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热
    - 解决办法: 确保适当的散热措施,使用合适的热阻材料。
    - 问题2: 开关频率不稳定
    - 解决办法: 调整栅极电阻,优化电路布局以减少寄生电容。

    总结和推荐


    WSR90N07 N 沟道 MOSFET 是一款集高性能、低功耗和高可靠性于一身的产品。其独特的技术特性和广泛的应用场景使其在市场上具备很强的竞争力。鉴于其在多种应用中的出色表现,我们强烈推荐使用 WSR90N07 作为电源管理和控制电路的核心组件。

WSR90N07参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220-3L

WSR90N07数据手册

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WSR90N07封装设计

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