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WST3417

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST3417 SOT-23L
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3417

WST3417概述

    WST3417 P-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WST3417 是一款高性能的 P 沟道沟槽型 MOSFET,具有极高的单元密度,适用于小功率开关和负载切换应用。 这款 MOSFET 符合 RoHS 和绿色环保要求,并通过全面的功能可靠性认证。它的高频率点对点同步降压转换器非常适合用于移动电脑(MB/NB)、超移动 PC(UMPC)和 VGA 设备。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -20 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±12 V
    - 持续漏电流 \( ID \) (25°C): -4.6 A
    - 持续漏电流 \( ID \) (70°C): -3.0 A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): -17 A
    - 总功率耗散 \( PD \) (25°C): 1.0 W
    - 存储温度范围 \( T{STG} \): -55 至 150°C
    - 工作结温范围 \( TJ \): -55 至 150°C
    - 热阻
    - 结至环境热阻 \( R{\theta JA} \): 110 °C/W
    - 结至外壳热阻 \( R{\theta JC} \): 70 °C/W
    - 其他参数
    - 漏源导通电阻 \( R{DSON} \) (47 mΩ, -4.6 A)
    - 向前跨导 \( g{fs} \): 14 S
    - 总栅极电荷 \( Qg \) (2.5 nC)
    - 门源电荷 \( Q{gs} \): 2.5 nC
    - 门漏电荷 \( Q{gd} \): 2.6 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高级高密度单元密度沟槽技术:确保卓越的性能和可靠性。
    - 超低栅极电荷:减少驱动损耗,提高效率。
    - 优秀的 \( C{dV/dt} \) 效应下降:提供更快的开关速度。
    - 绿色环保设备:符合环保标准,可满足绿色应用需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:应用于高频点对点同步降压转换器、网络 DC-DC 电源系统。
    - 使用建议:根据技术手册中的数据,选择合适的散热措施,如使用散热片或散热风扇,以确保在高温环境下的稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WST3417 MOSFET 可与常见的电源管理系统和电路板设计兼容。
    - 支持:Winsok 为其产品提供详细的安装和使用指南,同时提供技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:漏电流过高
    - 解决方案:检查电路连接,确保所有焊点牢固,并确认散热措施有效。
    - 问题:栅极泄漏电流过大
    - 解决方案:确认栅极驱动信号的幅值和频率符合要求,避免过驱动。

    7. 总结和推荐


    总结:WST3417 P-Ch MOSFET 具有高密度单元结构、低栅极电荷和优秀的 \( C{dV/dt} \) 特性,特别适合用于小功率开关和负载切换应用。它还符合绿色环保标准,具备高可靠性和稳定性。
    推荐:鉴于其出色的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐使用 WST3417 P-Ch MOSFET 在各类高频应用中,特别是需要高效能、低功耗和高可靠性设计的场合。

WST3417参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通道数量 -
通用封装 SOT-23L

WST3417数据手册

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WST3417封装设计

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