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WSK250N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSK250N03 TO-263-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 800
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSK250N03

WSK250N03概述


    产品简介


    WSK250N03 是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频点对点同步降压转换器及网络直流-直流电源系统设计。该产品具有高密度栅极结构和低静态导通电阻(RDS(ON)),适合在多种应用环境中提供高效的电源管理解决方案。

    技术参数


    以下是WSK250N03 的主要技术参数:
    - VDS(漏源电压):30 V
    - VGS(栅源电压):±20 V
    - ID(连续漏电流):
    - TC=25℃ 时为 250 A
    - TC=100℃ 时为 180 A
    - IDM(脉冲漏电流):1000 A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):600 mJ
    - IAS(雪崩电流):200 A
    - PD(总功率耗散):
    - TC=25℃ 时为 200 W
    - TC=100℃ 时为 120 W
    - 存储温度范围(TSTG):-55℃ 至 170℃
    - 工作结温范围(TJ):-55℃ 至 175℃

    产品特点和优势


    WSK250N03 的显著特点是其高密度栅极技术和先进的深槽工艺。它具有较低的栅电荷和极佳的CdV/dt效果下降,同时确保了100%的EAS测试保证。这些特点使其成为现代电力电子应用中的理想选择,例如高频点对点同步降压转换器和网络直流-直流电源系统。

    应用案例和使用建议


    WSK250N03 在多种应用场合中表现出色,例如:
    - 高频点对点同步降压转换器
    - 网络DC-DC电源系统
    使用建议:
    1. 散热设计:由于该器件具有较高的功率耗散,应确保良好的散热设计以避免过热问题。
    2. 电路布局:在电路设计过程中,要特别注意电路板的布局,以减少寄生电感和电容的影响。
    3. 输入输出端子:使用较大的铜箔面积,以便更好地散热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSK250N03 可与多数常见的电源管理系统和其他电子元器件兼容。
    - 支持和维护:Winsok提供全面的技术支持和售后服务,以确保客户在使用过程中遇到任何问题都能得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致器件失效。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,增加散热片或散热风扇。
    2. 问题:电源纹波较大。
    - 解决方案:检查电源模块的设计,增加滤波电容或调整电路参数。
    3. 问题:导通时间长。
    - 解决方案:降低栅极驱动电阻或提高驱动电压,以加快开关速度。

    总结和推荐


    WSK250N03 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有出色的RDS(ON)、低栅电荷和极佳的可靠性。其广泛的应用场景和稳定的性能表现使其在市场上具有较强的竞争力。综合考虑,WSK250N03 非常值得推荐用于高频电力电子应用中。

WSK250N03参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263-2

WSK250N03数据手册

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WSK250N03封装设计

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