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HP210N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HP210N06 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
HAOLIN/深圳豪林电子 场效应管(MOSFET) HP210N06

HP210N06概述

    # HP15N10 N-Channel Trench Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HP15N10 是一款 N-Channel Trench Power MOSFET(沟槽式功率 MOSFET),特别设计用于功率开关应用和 LED 背光。它采用先进的沟槽技术,结合低电阻封装,提供极低的 RDS(ON) 值,从而在大电流条件下具有较低的导通损耗。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压):100 V
    - VGS(栅源电压):±20 V
    - ID(直流漏电流):在 Tc=25℃ 时为 15 A;在 Tc=100℃ 时为 7.7 A
    - IDM(脉冲漏电流):44 A
    - PD(最大耗散功率):45 W(Tc=25℃)
    - EAS(单脉冲雪崩能量):16 mJ
    - TJ,TSTG(工作结温和存储温度范围):-55 至 175℃
    热特性
    - RθJC(结到外壳热阻):3.3 ℃/W
    电气特性
    - BVDSS(漏源击穿电压):100 V
    - IDSS(零栅电压漏电流):在 Tc=25℃ 时为 1 μA;在 Tc=100℃ 时为 5 μA
    - IGSS(栅体泄漏电流):±100 nA
    - VGS(th)(栅阈值电压):0.8 至 1.4 V
    - RDS(ON)(导通电阻):在 VGS=10V 时为 90 至 120 mΩ;在 VGS=4.5V 时为 95 至 130 mΩ
    - gFS(正向跨导):5 S
    - Ciss(输入电容):690 pF
    - Coss(输出电容):44 pF
    - Crss(反向传输电容):30 pF
    - Qg(总栅电荷):13.4 nC
    - Qgd(栅-漏电荷):6.2 nC
    - td(on)(开通延迟时间):7 nS
    - tr(开通上升时间):12 nS
    - td(off)(关断延迟时间):24 nS
    - tf(关断下降时间):11 nS
    - ISD(体二极管源-漏电流):15 A
    - ISDM(脉冲体二极管源-漏电流):44 A
    - VSD(正向导通电压):0.75 至 1 V
    - trr(反向恢复时间):11 nS
    - Qrr(反向恢复电荷):14 nC

    产品特点和优势


    HP15N10 具有以下几个独特功能和优势:
    - 极低的导通电阻(RDS(ON) < 120 mΩ @ VGS=10V)
    - 高额定电压(VDS=100V)
    - 优异的雪崩耐受能力(UIS 100% 测试通过)
    - 高可靠性,适用于多种严苛的工作环境
    这些特点使其成为高效率电源转换和 LED 背光的理想选择,能够在提高系统效率的同时减少发热和功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HP15N10 主要应用于以下领域:
    - 功率开关电路:如 DC/DC 转换器、电机驱动、逆变器等
    - LED 背光电路:如 LCD 显示器背光、LED 照明灯串等
    使用建议
    - 在高功率应用中,应注意散热,避免过热导致的损坏
    - 确保栅极驱动信号满足阈值电压要求,以确保 MOSFET 正常工作
    - 在高频开关应用中,需注意电容、电感等因素的影响,以减少电磁干扰

    兼容性和支持


    HP15N10 采用 TO-220 封装,与市面上常见的 TO-220 封装元器件高度兼容。制造商提供详细的技术文档和专业支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何测量 RDS(ON)?
    2. MOSFET 发热严重,如何改善散热?
    解决方案
    1. RDS(ON) 可通过使用万用表测量漏源电压和漏电流来计算。具体方法请参阅技术手册。
    2. 通过添加散热片或使用液冷等方式改善散热。确保 MOSFET 的工作环境温度不超过绝对最大额定值。

    总结和推荐


    HP15N10 是一款高性能的 N-Channel Trench Power MOSFET,适合于高功率开关应用。其低导通电阻、高可靠性以及良好的散热性能使得它在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐使用该产品来提升系统的整体效率和稳定性。
    总体而言,HP15N10 的综合性能和广泛应用领域使其成为市场上一个值得信赖的选择。无论是研发工程师还是系统设计师,都应当考虑将其纳入项目中。

HP210N06参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220

HP210N06厂商介绍

HAOLIN公司是一家专注于研发、生产和销售高品质工业产品的企业。公司主营产品包括但不限于精密机械部件、自动化设备、电子元件等,广泛应用于制造业、汽车行业、****、医疗设备等多个领域。

HAOLIN公司的产品分类如下:
1. 精密机械部件:包括高精度轴承、齿轮、传动系统等,用于提高机械设备的稳定性和效率。
2. 自动化设备:涵盖工业机器人、自动化生产线等,助力企业实现智能制造和提高生产效率。
3. 电子元件:包括传感器、控制器、集成电路等,为电子产品提供核心组件。

HAOLIN的优势在于:
1. 技术创新:公司拥有一支专业的研发团队,不断推出具有竞争力的新产品。
2. 质量保证:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 市场竞争力:凭借高性价比的产品和优质的服务,赢得了广泛的市场认可。

HP210N06数据手册

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HAOLIN/深圳豪林电子 场效应管(MOSFET) HAOLIN/深圳豪林电子 HP210N06 HP210N06数据手册

HP210N06封装设计

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250+ ¥ 2.31
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