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ZXMN4A06KTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.15W(Ta) 20V 1V@ 250µA 17.1nC@ 10 V 1个N沟道 40V 50mΩ@ 4.5A,10V 7.2A 827pF@20V TO-252-3 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: 30C-ZXMN4A06KTC TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC概述


    产品简介


    ZXMN4A06K 是一款由 Zetex Semiconductors 推出的高性能 N 沟道增强模式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的沟槽结构设计,结合了低导通电阻(RDS(ON))和快速开关速度的优点,使其非常适合应用于高效率、低压电源管理的场景中。主要特性包括低栅极驱动需求、低阈值电压以及良好的热稳定性,这些都为现代电子产品提供了卓越的性能表现。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    |
    | 漏源击穿电压 | 40 V
    | 零栅极电压漏极电流 | 1 μA | VDS=40V, VGS=0V |
    | 栅体泄漏电流 | 100 nA | VGS=±20V, VDS=0V |
    | 栅源阈值电压 | 1.0 V | ID=250μA |
    | 静态漏源导通电阻 | 0.050 | 0.075 Ω | VGS=10V, ID=4.5A |
    | 前向跨导 | 11.5 S | VDS=15V, ID=4.5A |
    | 输入电容 | 827 pF | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz |
    | 输出电容 | 133 pF
    | 反向传输电容 | 84 pF
    | 开关时间延迟时间(开启) | 3.2 ns | VDD=20V, ID=1A |
    | 上升时间 | 3.8 ns
    | 关断时间延迟时间(关闭) | 23.3 ns
    | 下降时间 | 10.9 ns

    产品特点和优势


    ZXMN4A06K 的核心优势在于其出色的低导通电阻(RDS(ON))和快速开关能力,这使得它能够有效降低功耗并提高能效比。此外,其较低的阈值电压和较小的栅极充电需求进一步简化了电路设计过程。该器件封装形式为 DPAK,具有良好的散热性能,适合各种紧凑型设计需求。
    应用案例与使用建议
    ZXMN4A06K 广泛应用于直流-直流转换器、音频输出级、继电器及电磁阀驱动等领域。对于需要高效率和快速响应的应用场景尤为适用。在实际应用过程中,建议根据具体的工作条件合理设置驱动电路参数以充分发挥器件潜力。

    兼容性和支持


    该产品可与其他标准组件良好兼容,适用于多种电路布局。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决安装和调试过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开启时出现异常噪声 | 确保正确的布线连接 |
    | 温度过高 | 增加散热措施或优化散热设计 |
    | 开关速度不够快 | 调整驱动电路参数 |
    总结与推荐
    综上所述,ZXMN4A06K 是一款高性能且高效的 N 沟道增强模式 MOSFET,特别适合于高效率电源管理系统的设计。其优异的技术指标、广泛的适用范围以及全面的支持服务使其成为市场上极具竞争力的产品之一。如果您正在寻找一款既能满足高性能要求又能降低成本的理想选择,那么 ZXMN4A06K 将是一个非常值得考虑的选择。

ZXMN4A06KTC参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 4.5A,10V
Id-连续漏极电流 7.2A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
栅极电荷 17.1nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 2.15W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 827pF@20V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN4A06KTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN4A06KTC数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN4A06KTC ZXMN4A06KTC数据手册

ZXMN4A06KTC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.697
100+ ¥ 3.916
1250+ ¥ 3.564
2500+ ¥ 3.3
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