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ZXMN6A25GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 20V 1V@ 250µA 20.4nC@ 10 V 1个N沟道 60V 50mΩ@ 3.6A,10V 4.8A 1.063nF@30V SOT-223-3 贴片安装 6.7mm*3.7mm*1.65mm
供应商型号: 30C-ZXMN6A25GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA概述

    ZXMN6A25G 60V SOT223 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    ZXMN6A25G 是一款由 Zetex 推出的新一代沟槽式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),以其独特的结构结合了低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度的优点,特别适合于高效率电源管理应用。这种器件广泛应用于直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关及电机控制等领域,是现代电子系统设计的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    |
    | 漏源击穿电压 | 60 V | ID=250μA, VGS=0V |
    | 零栅极电压漏电流 | 1.0 μA | VDS=60V, VGS=0V |
    | 栅极-体泄漏电流 | 100 nA | VGS=±20V, VDS=0V |
    | 栅极-源极阈值电压 | 1 V | ID=250μA, VDS=VGS |
    | 导通状态电阻 (典型值) | 0.050 0.070 | Ω | VGS=10V,ID=3.6A 或 VGS=4.5V,ID=3.0A |
    | 前向跨导 (典型值) | 10.2 S | VDS=15V,ID=4.5A |
    | 输入电容 (典型值) | 1063 pF | VDS=30V,VGS=0V |
    | 输出电容 (典型值) | 104 pF | f=1MHz |
    | 反向传输电容 (典型值) | 64 pF
    | 开关延迟时间 | 3.8 ns | VDD=30V,ID=1A |
    | 上升时间 4.0 ns | VGS=10V |
    | 关断延迟时间 26.2 | ns
    | 下降时间 10.6 | ns

    产品特点和优势


    ZXMN6A25G 的主要特点是其卓越的性能指标和适用范围广泛的电源管理功能。其低导通电阻和快速开关速度显著提高了能效,降低了功耗,同时减少了热量积累。此外,它采用紧凑的 SOT223 封装形式,便于集成到小型化电路板设计中,满足现代电子产品对空间利用率的需求。

    应用案例和使用建议


    ZXMN6A25G 广泛应用于多种场景,如 DC-DC 转换器、电源管理系统和电机驱动单元。例如,在设计高性能直流电源时,可以通过合理配置 ZXMN6A25G 的参数来优化整体效率并减少热损耗。建议根据具体应用需求调整栅极驱动电压以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    ZXMN6A25G 具备良好的兼容性,可以轻松与现有的 PCB 设计相结合。Zetex 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利实施项目开发。对于任何技术疑问或需要进一步指导的情况,用户可以通过官方销售渠道联系当地的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装 ZXMN6A25G?
    - 解决方案:请严格按照数据手册中的封装尺寸和引脚排列进行安装,确保焊接质量和散热效果。

    2. 问题:在高温环境下工作是否会降低寿命?
    - 解决方案:虽然该器件可在宽广温度范围内正常运作,但仍需注意保持适当的散热措施以延长使用寿命。
    3. 问题:更换旧型号 MOSFET 是否容易?
    - 解决方案:ZXMN6A25G 完全兼容传统封装标准,因此无需大幅改动现有硬件即可实现升级替换。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN6A25G 是一款具有强大功能和灵活适应性的电子元器件,非常适合用于各类电源管理和信号处理场合。凭借其优异的技术参数、广泛的应用前景以及来自制造商的支持保障,我们强烈推荐此款产品作为您的首选解决方案之一。如果您正在寻找一款高效稳定的 MOSFET 来提升系统性能,那么 ZXMN6A25G 绝对是一个值得考虑的选择!

ZXMN6A25GTA参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 3.6A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.063nF@30V
通道数量 1
最大功率耗散 2W(Ta)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 20.4nC@ 10 V
配置 独立式双drain
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 4.8A
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN6A25GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN6A25GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN6A25GTA ZXMN6A25GTA数据手册

ZXMN6A25GTA封装设计

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