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ZTX855STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 260mV@ 400mA,4A NPN 1.2W 6V 50nA 250V 150V 4A EP-3SC 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: ZTX855STZ
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX855STZ

ZTX855STZ概述

    电子元器件产品技术手册:ZTX855 NPN 中功率晶体管

    产品简介


    ZTX855是一款适用于多种应用的NPN中功率晶体管,采用E-Line封装(兼容TO-92封装)。它具备高可靠性和环保特性,可广泛应用于汽车、工业控制等领域。ZTX855的主要功能是作为开关器件,在电路中提供电流放大作用。

    技术参数


    以下是ZTX855的技术规格、性能参数和电气特性:
    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压:$BV{CBO} = 250 \, \text{V}$
    - 集电极-发射极电压:$V{CEO} = 150 \, \text{V}$
    - 发射极-基极电压:$V{EBO} = 6 \, \text{V}$
    - 连续集电极电流:$IC = 4 \, \text{A}$
    - 峰值脉冲电流:$I{CM} = 10 \, \text{A}$
    - 工作温度范围:$TJ, T{STG} = -55 \, \text{°C} \sim 200 \, \text{°C}$
    - 热特性
    - 功率耗散:$PD = 1.58 \, \text{W}$ (通过孔安装)
    - 功率耗散:$PD = 1.2 \, \text{W}$ (表面贴装)
    - 热阻:$R{\Theta JA} = 150 \, \text{°C/W}$ (通过孔安装)
    - 热阻:$R{\Theta JA} = 110 \, \text{°C/W}$ (表面贴装)
    - 结点到引脚热阻:$R{\Theta JC} = 50 \, \text{°C/W}$
    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压:$BVCBO = 250 \, \text{V}$
    - 集电极-发射极击穿电压:$BV{CER} = 250 \, \text{V}$
    - 集电极-发射极饱和电压:$V{CE(sat)} < 100 \, \text{mV}$($IC = 1 \, \text{A}, IB = 100 \, \text{mA}$)
    - 基极-发射极饱和电压:$V{BE(sat)} < 1100 \, \text{mV}$($IC = 4 \, \text{A}, IB = 400 \, \text{mA}$)

    产品特点和优势


    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,适合高可靠性应用。
    - 环保设计:无卤素、无锑化物,符合RoHS标准。
    - 宽工作温度范围:支持高达200°C的工作温度。
    - 低饱和电压:确保在大电流下依然保持较低的导通损耗。
    - 互补型号:有对应的互补NPN型号ZTX955,方便进行双极性对称电路设计。

    应用案例和使用建议


    - 汽车应用:由于其高可靠性和宽温特性,ZTX855非常适合用于汽车电子控制单元。
    - 工业控制:在需要大电流驱动的场合,如电机控制、电源转换等,ZTX855表现出色。
    - 建议:在高频应用中,要注意散热设计,避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:E-Line封装兼容TO-92,易于替换传统TO-92封装的器件。
    - 支持信息:厂商提供详细的文档和在线技术支持,包括数据表、应用指南等。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间使用后出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片,优化PCB布局,减少热阻。
    - 问题2:饱和电压过高,影响效率。
    - 解决方案:确保足够的基极驱动电流,优化电路布局。

    总结和推荐


    ZTX855是一款出色的NPN中功率晶体管,具备高可靠性和良好的热管理能力。它特别适合需要大电流驱动且要求工作环境温度高的应用。鉴于其广泛的适用性和环保特性,强烈推荐在需要高可靠性及大电流处理的应用中使用。

ZTX855STZ参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 250V
集电极截止电流 50nA
最大集电极发射极饱和电压 260mV@ 400mA,4A
晶体管类型 NPN
最大功率耗散 1.2W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 260mV@ 400mA,4A
VEBO-最大发射极基极电压 6V
集电极电流 4A
VCEO-集电极-发射极最大电压 150V
配置 独立式
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,弹夹装

ZTX855STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX855STZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX855STZ ZTX855STZ数据手册

ZTX855STZ封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 5.3878
5000+ ¥ 5.0786
8000+ ¥ 4.9903
12000+ ¥ 4.9461
库存: 20000
起订量: 2500 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 13469.5
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