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ZXMN3B01FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 625mW(Ta) 12V 700mV@ 250µA (Min) 2.93nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 150mΩ@ 1.7A,4.5V 1.7A 258pF@15V SOT-23-3 贴片安装 3.04mm*1.4mm*1.02mm
供应商型号: 14M-ZXMN3B01FTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA概述

    ZXMN3B01F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZXMN3B01F 是 Zetex 公司推出的一种新一代 Trench MOSFET(沟槽式 MOSFET),专为高效率、低电压电源管理应用设计。这种器件结合了低导通电阻和快速开关速度的优点,使其成为现代电力管理系统中的理想选择。ZXMN3B01F 采用 SOT23 封装形式,适用于各种功率管理和控制任务。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压: \( V{(BR)DSS} = 30 \text{V} \)
    - 最大栅源电压: \( V{GS} = \pm 12 \text{V} \)
    - 连续漏极电流 (\( TA = 25^\circ\text{C} \)): \( ID = 2.0 \text{A} \)
    - 脉冲漏极电流: \( I{DM} = 9.4 \text{A} \)
    - 静态导通电阻 (\( V{GS} = 4.5 \text{V}, ID = 1.7 \text{A} \)): \( R{DS(on)} = 0.150 \Omega \)
    - 输入电容 (\( V{DS} = 15 \text{V}, V{GS} = 0 \text{V}, f = 1 \text{MHz} \)): \( C{iss} = 258 \text{pF} \)
    - 输出电容: \( C{oss} = 50 \text{pF} \)
    - 反向传输电容: \( C{rss} = 30 \text{pF} \)
    - 热特性:
    - 结到环境热阻 (a): \( R{\theta JA} = 200 ^\circ\text{C/W} \)
    - 结到环境热阻 (b): \( R{\theta JA} = 155 ^\circ\text{C/W} \)
    - 功耗 ( \( TA = 25^\circ\text{C} \) ): \( PD = 625 \text{mW} \)
    - 工作环境温度范围: \( Tj, T{stg} = -55^\circ \text{C} \sim +150^\circ \text{C} \)

    3. 产品特点和优势


    ZXMN3B01F 的显著特点包括:
    - 低导通电阻: 保证了低能耗和高效能。
    - 高速开关能力: 减少了开关损耗。
    - 低阈值电压: 简化了驱动电路设计。
    - SOT23 封装: 节省空间,便于集成。
    这些特点使其非常适合于高频开关应用和需要高效率的场合,如直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关及电机控制。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 直流-直流转换器: 利用其高效率和快速开关能力进行电压转换。
    - 断开开关: 用于断开电源,确保安全操作。
    - 电机控制: 实现高效的电机控制。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在大电流应用中。
    - 使用合理的 PCB 布局以减少寄生效应。
    - 在高频率应用时,考虑电容特性对整体性能的影响。

    5. 兼容性和支持


    ZXMN3B01F 与标准 SOT23 封装兼容,适用于多种 PCB 设计。制造商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、设计指南和客户服务中心。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 导通电阻异常高。
    - 解决方案: 检查是否正确设置栅源电压 (\( V{GS} \)) 和电流 (\( ID \))。

    - 问题: 开关时间不稳定。
    - 解决方案: 确认测试条件(如栅极电阻)符合标准。

    - 问题: 热稳定性差。
    - 解决方案: 优化散热设计,使用合适的散热片或散热风扇。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZXMN3B01F 在技术参数和实际应用中表现出色,特别适合需要高效率和低功耗的应用场合。推荐在直流-直流转换器、电源管理和电机控制等领域使用。该器件经过严格的品质控制和测试,能够为客户提供可靠的电力管理解决方案。

ZXMN3B01FTA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 12V
配置 独立式
最大功率耗散 625mW(Ta)
栅极电荷 2.93nC@ 4.5 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA (Min)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 258pF@15V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 1.7A
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@ 1.7A,4.5V
长*宽*高 3.04mm*1.4mm*1.02mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3B01FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3B01FTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3B01FTA ZXMN3B01FTA数据手册

ZXMN3B01FTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.2065
10+ ¥ 1.1864
30+ ¥ 0.9384
100+ ¥ 0.791
300+ ¥ 0.7239
3000+ ¥ 0.6703
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