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ZXMP2120FFTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1W(Ta) 20V 3.5V@ 250µA 16nC 1个P沟道 200V 28Ω@ 150mA,10V 137mA 100pF@25V SOT-23F 贴片安装 2.9mm*1.65mm*900μm
供应商型号: 30C-ZXMP2120FFTA SOT23F
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP2120FFTA

ZXMP2120FFTA概述

    ZXMP2120FF P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZXMP2120FF 是一款高电压P沟道增强型功率MOSFET,具有高效功率处理能力、高阻抗及无热跑和热二次击穿的特点。适用于多种通信和高压电路,特别是在48V直流到直流转换器中用于主动钳位初级侧MOSFET。

    2. 技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): -200V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 持续漏电流 \(ID\): -137mA (@ VGS=10V, Tamb=25°C)
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\): -0.8A
    - 电源消耗 (Tamb=25°C): 1W (静态) / 1.5W (脉冲)
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 热电阻 \(R{\Theta JA}\): 125°C/W (静态) / 81°C/W (脉冲)
    - 电气特性
    - 静态漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): -200V (ID=1mA, VGS=0V)
    - 零栅压漏电流 \(I{DSS}\): -10μA (VDS=-200V, VGS=0V)
    - 栅体泄漏 \(I{GSS}\): 20nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): -1.5V ~ -3.5V (ID=250μA, VDS=VGS)
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 28Ω (VGS=-10V, ID=-150mA)
    - 门极充电电容 \(C{iss}\): 100pF (VDS=-25V, VGS=0V)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 25pF (f=1MHz)
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 7pF

    3. 产品特点和优势


    - 高电压处理能力: 能够处理高达200V的电压。
    - 低导通电阻: 导通电阻仅为28Ω,确保高效电力传输。
    - 快速开关速度: 开关延迟时间短(\(t{d(on)}\) 7ns,\(t{d(off)}\) 12ns)。
    - 低栅极驱动: 降低功耗,提高效率。
    - 宽工作温度范围: 支持从-55°C到+150°C的工作温度。
    - 紧凑封装: 采用SOT23 FLAT封装,体积小,易于安装。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMP2120FF 主要应用于48V直流到直流转换器中的初级侧MOSFET钳位。例如,在数据中心电源管理中,ZXMP2120FF可以有效保护主开关MOSFET免受过压损坏。在使用过程中,应注意散热管理以防止过温。此外,适当调整门极驱动电压可以进一步提高效率。

    5. 兼容性和支持


    ZXMP2120FF 与其他主流的高压MOSFET和电源管理IC高度兼容,可以轻松集成到现有的系统设计中。Zetex公司提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 在高频开关应用中发现功率损耗较高。
    - 解决办法: 调整门极驱动电压,确保在合适的范围内以减小开关损耗。
    - 问题2: 温度升高导致性能下降。
    - 解决办法: 加强散热措施,如增加散热片或采用散热膏。
    - 问题3: 无法达到预期的开关速度。
    - 解决办法: 检查门极驱动电路设计,确保有足够的驱动电流。

    7. 总结和推荐


    ZXMP2120FF 是一款高性能的P沟道增强型MOSFET,具有高电压处理能力、低导通电阻和快速开关速度等特点。它广泛适用于通信和工业控制等领域。推荐给需要高可靠性和高效能的系统设计师选用。

ZXMP2120FFTA参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
最大功率耗散 1W(Ta)
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
栅极电荷 16nC
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 137mA
Rds(On)-漏源导通电阻 28Ω@ 150mA,10V
FET类型 1个P沟道
配置 独立式
长*宽*高 2.9mm*1.65mm*900μm
通用封装 SOT-23F
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP2120FFTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP2120FFTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMP2120FFTA ZXMP2120FFTA数据手册

ZXMP2120FFTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.574
100+ ¥ 2.046
750+ ¥ 1.837
1500+ ¥ 1.727
3000+ ¥ 1.65
库存: 3520
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