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ZDT6705TA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: NPN,PNP Darlington (Dual) 2.75W 10V 10μA 140V 120V 1A SM-8 贴片安装 6.7mm*3.7mm*1.6mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
DIODES 三极管(BJT) ZDT6705TA

ZDT6705TA概述


    产品简介


    产品名称:SM-8互补型中功率达林顿晶体管
    产品类型:
    SM-8是一款互补型中功率达林顿晶体管,包含NPN和PNP两种晶体管。这类晶体管通常用于中等功率的应用场景,如驱动电机、继电器和其他需要高电流能力的负载。
    主要功能:
    - 高电流增益(高达5000)
    - 高电压承受能力(最大VCEO可达120V)
    - 快速开关性能
    应用领域:
    适用于各种中等功率电子控制系统,包括工业自动化、机器人技术、电源管理和汽车电子等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值:
    - Collector-Base电压:VCBO(NPN)= 140V,VCBO(PNP)= -140V
    - Collector-Emitter电压:VCEO(NPN)= 120V,VCEO(PNP)= -120V
    - Emitter-Base电压:VEBO(NPN)= 10V,VEBO(PNP)= -10V
    - 峰值脉冲电流:ICM(NPN)= 4A,ICM(PNP)= -4A
    - 连续集电极电流:IC(NPN)= 1A,IC(PNP)= -1A
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    热特性:
    - 单个晶体管工作时总功耗(Tamb=25°C):Ptot = 2.25W
    - 两个晶体管均衡工作时总功耗(Tamb=25°C):Ptot = 2.75W
    - 热阻:单个晶体管工作时RθJA = 55.6°C/W,两个晶体管均衡工作时RθJA = 45.5°C/W
    电气特性(Tamb=25°C):
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO(NPN)= 140V,V(BR)CBO(PNP)= -140V
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO(NPN)= 120V,V(BR)CEO(PNP)= -120V
    - 发射极-基极击穿电压:V(BR)EBO(NPN)= 10V,V(BR)EBO(PNP)= -10V
    - 静态正向电流传输比(hFE):最大可达5000

    产品特点和优势


    特点:
    - 高电流增益:高达5000,适用于驱动高功率负载。
    - 快速开关时间:ton(NPN)= 0.5µs,toff(NPN)= 1.6µs;ton(PNP)= 0.6µs,toff(PNP)= 0.8µs。
    - 宽广的工作温度范围:-55°C 至 +150°C,适合恶劣环境应用。
    - 高电压承受能力:最高120V,确保安全操作。
    优势:
    - 在驱动大电流应用中表现出色,相比单一晶体管具有更高的可靠性和稳定性。
    - 具有良好的热管理性能,能够有效散热,延长使用寿命。
    - 高精度和快速响应特性使其成为高性能应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于驱动工业自动化系统中的电机和继电器。
    - 在汽车电子系统中控制高压灯泡和执行器。
    - 在电源管理系统中作为开关元件。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,注意热管理以防止过热。建议使用适当的散热片或散热器来提高散热效率。
    - 对于高频应用,需要注意输入和输出电容的匹配,以避免信号失真。
    - 在多通道系统中,应考虑电源电压的稳定性,以避免晶体管损坏。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - SM-8晶体管设计为与标准的SOT223封装兼容,易于集成到现有的电路板设计中。
    - 可与其他标准电气接口(如PWM信号)配合使用。
    支持和服务:
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南、使用手册和技术支持热线。
    - 提供样品供客户测试,并可根据客户需求定制化生产。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法:
    | 问题 | 解决方法 |

    | 晶体管在高温环境下过热损坏 | 使用散热器或散热片加强散热,保证环境温度不超过最大工作温度范围。 |
    | 开关速度慢导致信号失真 | 减少电路中的寄生电容,优化PCB布局,减少走线长度。 |
    | 晶体管无法正常导通 | 检查输入信号电压和电流是否达到饱和条件,调整驱动电路的电阻值。 |

    总结和推荐


    总结:
    SM-8互补型中功率达林顿晶体管以其高电流增益、宽泛的工作温度范围和良好的热管理性能脱颖而出。其卓越的电气特性和快速的开关性能使其成为驱动高电流应用的理想选择。同时,厂商提供了全面的支持和服务,便于客户进行测试和集成。
    推荐:
    对于需要高可靠性、高电流驱动能力和良好热管理的中等功率应用,我们强烈推荐使用SM-8晶体管。无论是工业自动化还是汽车电子领域,SM-8都能提供出色的表现。

ZDT6705TA参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 120V
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 1mA,1A
最大功率耗散 2.75W
VEBO-最大发射极基极电压 10V
配置
集电极截止电流 10μA
晶体管类型 NPN,PNP Darlington (Dual)
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 140V
集电极电流 1A
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.6mm
通用封装 SM-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

ZDT6705TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZDT6705TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZDT6705TA ZDT6705TA数据手册

ZDT6705TA封装设计

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