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ZVP3310ASTOB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 625mW(Ta) 20V 3.5V@1mA 1个P沟道 100V 20Ω@ 150mA,10V 140mA 50pF@25V TO-92-3 导线安装,通孔安装
供应商型号: ZVP3310ASTOB-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 16000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP3310ASTOB

ZVP3310ASTOB概述

    ZVP3310A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    产品简介


    ZVP3310A 是一款P沟道增强型垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET)。它具有100V的击穿电压(VDS)和低导通电阻(RDS(on)),适用于各种电力电子应用,如开关电源、逆变器、电机驱动和电池充电器等。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压:VDS = -100V
    - 持续漏极电流(Ta=25°C):ID = -140mA
    - 脉冲漏极电流:IDM = -1.2A
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 功耗(Ta=25°C):Ptot = 625mW
    - 工作和存储温度范围:Tj: Tstg = -55°C 到 +150°C
    - 电气特性(Ta=25°C,除非另有说明)
    - 漏源击穿电压:BVDSS = -100V
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = -1.5V 至 -3.5V
    - 栅体泄漏电流:IGSS = 20nA
    - 零栅电压漏极电流:IDSS = -1μA 至 -50μA
    - 导通状态漏极电流:ID(on) = -300mA(VDS = -25V,VGS = -10V)
    - 静态漏源导通电阻:RDS(on) = 20Ω(VGS = -10V,ID = -150mA)
    - 正向跨导:gfs = 50mS(VDS = -25V,ID = -150mA)
    - 输入电容:Ciss = 50pF
    - 输出电容:Coss = 15pF(VDS = -25V,VGS = 0V,f = 1MHz)
    - 反向传输电容:Crss = 5pF

    产品特点和优势


    1. 高耐压能力:高达100V的击穿电压,使其在高压环境下也能稳定工作。
    2. 低导通电阻:RDS(on) = 20Ω,确保在导通状态下损耗极低。
    3. 出色的开关性能:关断和开通时间短,分别仅为8ns,非常适合高频应用。
    4. 高可靠性:宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),确保在极端环境下的稳定性。
    5. 良好的热特性:功率损耗为625mW,适合于紧凑的设计。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:ZVP3310A 广泛应用于各类电力转换设备中,如太阳能逆变器、电机驱动系统和不间断电源(UPS)等。通过将此晶体管与微控制器配合使用,可以实现高效的开关控制。
    - 使用建议:在使用时,需注意控制栅极电压以避免栅极过压损坏晶体管。此外,合理设计散热措施可进一步提高器件的可靠性和寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZVP3310A 采用TO-92封装,易于与多种电路板集成。它还具有很好的温度适应性,能够与其他常用电子元件协同工作。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和技术支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:晶体管发热严重。
    - 解决方案:检查电路设计是否有异常,确保电路工作在规定的电流和电压范围内,并增加适当的散热措施。

    - 问题:栅极过压导致晶体管失效。
    - 解决方案:添加合适的栅极保护电路,如串联电阻或稳压二极管,以防止栅极电压过高。

    总结和推荐


    ZVP3310A 是一款高性能、高可靠性的P沟道增强型垂直DMOS FET,适用于高压电力电子应用。其低导通电阻、快速开关时间和广泛的温度适应性使其在市场上具有显著的竞争优势。总体而言,我强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高效、稳定的高压电力转换的应用中。

ZVP3310ASTOB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 140mA
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 20Ω@ 150mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 独立式
最大功率耗散 625mW(Ta)
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
包装方式 卷带包装

ZVP3310ASTOB厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP3310ASTOB数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP3310ASTOB ZVP3310ASTOB数据手册

ZVP3310ASTOB封装设计

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