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ZXMN3A06DN8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 6.2 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 30C-ZXMN3A06DN8TA SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA概述

    ZXMN3A06DN8 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZXMN3A06DN8 是一款由 Zetex 公司开发的新一代沟槽 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、低电压的功率管理应用而设计。这种 MOSFET 集低导通电阻和快速开关速度于一身,使其成为 DC-DC 转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制等领域的理想选择。

    技术参数


    以下是该 MOSFET 的主要技术规格和电气特性:
    - 耐压值:漏源击穿电压 V(BR)DSS = 30V
    - 最大持续漏电流:ID = 6.2A (TA=25°C),ID = 5.0A (TA=70°C),ID = 4.9A (TA=25°C)
    - 最大脉冲漏电流:IDM = 30A
    - 最大持续源电流(体二极管):IS = 3.7A
    - 最大脉冲源电流(体二极管):ISM = 30A
    - 工作温度范围:Tj:Tstg = -55°C 到 +150°C
    - 绝对最大额定值:
    - 漏极至源极电压:VDSS = 30V
    - 栅极至源极电压:VGS = ±20V
    - 工作和存储温度范围:Tj:Tstg = -55°C 到 +150°C
    - 热阻抗:
    - 结到环境(a)(d):RθJA = 100°C/W
    - 结到环境(a)(e):RθJA = 69°C/W
    - 结到环境(b)(d):RθJA = 58°C/W

    产品特点和优势


    ZXMN3A06DN8 具备以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻:RDS(on) 最低可达 0.035Ω(VGS=10V,ID=9A)
    - 快速开关速度:例如,关断延时时间 td(off) = 21.6ns
    - 低阈值电压:VGS(th) = 1V
    - 低栅极驱动需求
    - 低轮廓 SOIC 封装,适合空间受限的应用
    这些特点使 ZXMN3A06DN8 在高效率和低功耗的应用中表现出色,特别是在需要高频开关的应用中。

    应用案例和使用建议


    ZXMN3A06DN8 适用于多种应用场景,如 DC-DC 转换器、电源管理模块和电机控制。具体应用案例包括但不限于:
    - DC-DC 转换器:利用其快速开关速度和低导通电阻,提高转换效率和稳定性。
    - 电源管理模块:用于控制电流和电压,提供稳定的输出。
    在使用 ZXMN3A06DN8 时,应注意:
    - 确保栅极驱动信号满足 VGS 的要求。
    - 控制环境温度,避免过高的结温导致器件损坏。

    兼容性和支持


    ZXMN3A06DN8 支持标准 SOIC 封装,易于与其他电子元器件集成。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过官方网站获取最新的产品信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题和解决方案,以下是可能遇到的问题及解决办法:
    - 问题:栅极驱动信号不足
    解决方案:确保栅极驱动信号幅值和频率满足 VGS 和 VDS 的要求。
    - 问题:温度过高导致性能下降
    解决方案:采用散热片或其他散热措施,降低工作环境温度。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN3A06DN8 MOSFET 在低电压和高频应用中表现出色,具备低导通电阻、快速开关速度和低阈值电压等优势。它特别适合于 DC-DC 转换器、电源管理和电机控制等领域。因此,我们强烈推荐使用这款 MOSFET,以提升系统的整体性能和可靠性。

ZXMN3A06DN8TA参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 9A,10V
Id-连续漏极电流 4.9A
配置
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 796pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.1W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA (Min)
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 2
栅极电荷 17.5nC@ 10V
长*宽*高 5mm*4mm*1.5mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3A06DN8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3A06DN8TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8TA数据手册

ZXMN3A06DN8TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.981
50+ ¥ 2.299
500+ ¥ 1.914
10000+ ¥ 1.903
15000+ ¥ 1.892
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