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ZTX755STOA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 1W -5V -150V 150V 1A TO-92-3 通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
DIODES 三极管(BJT) ZTX755STOA

ZTX755STOA概述


    产品简介


    PNP Silicon Planar Medium Power Transistors
    本产品是一款PNP硅平面中功率晶体管,适用于各种中等电流需求的应用场景。这种晶体管具备高可靠性和稳定性,适合广泛应用于汽车电子、电源管理、电机驱动等领域。通过其出色的电气特性和工作性能,可以显著提升系统的整体性能和可靠性。

    技术参数


    以下是本产品的主要技术参数和电气特性:
    | 参数 | 符号 | ZTX754 | ZTX755 | 单位 |

    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | -125 | -150 | V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | -125 | -150 | V |
    | 发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | -5 | -5 | V |
    | 集电极截止电流 | ICBO | -100 nA | -100 nA | nA |
    | 发射极截止电流 | IEBO | -100 nA | -100 nA | nA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | -0.5 | -0.5 | V |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | -1.1 | -1.1 | V |
    | 基极-发射极开启电压 | VBE(on) | -1.0 | -1.0 | V |
    | 静态正向电流增益 | hFE | 50-200 | 50-200
    | 转换频率 | fT | 30 | 30 | MHz |
    | 输出电容 | Cob | 20 | 20 | pF |
    绝对最大额定值如下:
    - 集电极-基极电压:VCBO -125 / -150 V
    - 集电极-发射极电压:VCEO -125 / -150 V
    - 发射极-基极电压:VEBO -5 V
    - 峰值脉冲电流:ICM -2 A
    - 连续集电极电流:IC -1 A
    - 功率耗散(Ta=25°C):Ptot 1 W
    - 工作和存储温度范围:Tj:Tstg -55至+200 °C

    产品特点和优势


    ZTX754 和 ZTX755 具有以下特点和优势:
    - 低饱和电压:在大电流条件下具有更低的饱和电压,可以有效降低功耗,提高系统效率。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定工作,适用于严苛的工作环境。
    - 高静态正向电流增益:具有较高的电流增益,确保更高的转换效率。
    - 兼容 TO92 封装:便于安装和集成,适用于多种电路板设计。

    应用案例和使用建议


    本产品常用于汽车电子控制系统、电源管理和电机驱动等场合。例如,在汽车电子控制系统中,它可以作为功率放大器使用,以控制马达或其他负载的运行。在电机驱动应用中,它可以通过精确控制电流来实现电机的高效运转。
    使用建议:
    - 确保电路设计合理,避免过载运行。
    - 在高电流条件下,注意散热,防止因过热导致损坏。
    - 选择合适的外围电路元件,如电阻、电容等,以优化电路性能。

    兼容性和支持


    兼容性:
    本产品与标准 TO92 封装兼容,便于替换现有设备中的同类晶体管。同时,它也适用于各种电路设计,易于集成到现有的电子系统中。
    支持:
    厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括使用手册、样品和技术咨询等,帮助用户更好地理解和应用本产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 饱和电压过高 | 检查电路设计,确保负载条件符合规定;考虑调整外围电路参数。 |
    | 功耗过大 | 确保良好的散热措施;检查是否有过载现象;考虑使用更大的散热片。 |
    | 开启时间较长 | 检查基极驱动信号;确认基极驱动电流足够大。 |
    | 高温下性能不稳定 | 使用更好的散热装置;减少工作电流;降低工作频率。 |

    总结和推荐


    总结:
    ZTX754 和 ZTX755 是一款具有高性能和广泛应用领域的PNP硅平面中功率晶体管。其低饱和电压、宽工作温度范围和高电流增益等特点使其在多个领域中表现优异。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐本产品用于需要高效率和高可靠性的电路设计中。对于需要高电流处理能力和良好散热性能的应用场合,本产品无疑是最佳选择之一。

ZTX755STOA参数

参数
最大功率耗散 1W
VCBO-最大集电极基极电压 -150V
最大集电极发射极饱和电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极电流 1A
VEBO-最大发射极基极电压 -5V
晶体管类型 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 150V
配置 独立式
集电极截止电流 -
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级

ZTX755STOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX755STOA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX755STOA ZTX755STOA数据手册

ZTX755STOA封装设计

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