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ZXMP6A18K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 10.1W 20V 1V(Min) 44nC 60V 55mΩ@ 10V 1.58nF@ 30V DPAK 6.8mm(宽度)
供应商型号: 1251239
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP6A18K

ZXMP6A18K概述

    ZXMP6A18K 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    ZXMP6A18K 是一款由 Zetex 公司设计生产的 P-沟道增强型功率 MOSFET(场效应晶体管)。这种新型沟槽 MOSFET 结构集低导通电阻和快速开关速度的优点于一体,适用于高效率、低压电源管理应用。ZXMP6A18K 主要应用于电机驱动和断开开关等领域,是一款高性能、低成本的选择。

    2. 技术参数


    - 基本电气特性
    - 漏源击穿电压:-60V (ID=-250μA, VGS=0V)
    - 零栅极电压漏电流:≤1.0μA (VDS=-60V, VGS=0V)
    - 栅源泄漏电流:100nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 栅源阈值电压:-1.0V (ID=-250μA, VDS=VGS)

    - 静态特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.055Ω (VGS=-10V, ID=-3.5A)
    - 前向跨导 (gfs):8.7S (VDS=-15V, ID=-3.5A)

    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss):1580pF (VDS=-30V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss):160pF
    - 反向传输电容 (C rss):140pF
    - 开关时间
    - 开启延迟时间 (td(on)):4.6ns
    - 上升时间 (tr):5.8ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):55ns
    - 下降时间 (tf):23ns
    - 栅极电荷 (Qg):23nC (VDS=-30V, VGS=-5V, ID=-3.5A)
    - 最大额定值
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 持续漏极电流 (ID):-10.4A (TA=25°C), -8.3A (TA=70°C), -6.8A (TA=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-37.5A
    - 功耗 (PD):4.3W (TA=25°C),10.1W (TA=25°C),2.15W (TA=25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RJA):29°C/W (TA=25°C),12.3°C/W (TA=25°C),58°C/W (TA=25°C)

    3. 产品特点和优势


    ZXMP6A18K 的主要特点是低导通电阻 (0.055Ω) 和高速开关能力 (开启延迟时间为 4.6ns),这些特性使得该器件非常适合高效率、低电压的电源管理应用。此外,它具有低栅极驱动要求,可有效降低功耗并提高整体系统效率。采用 DPAK 封装,便于集成到多种应用环境中。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMP6A18K 广泛应用于电机驱动和断开开关。例如,在电机驱动应用中,它能够提供高效的能量转换,从而延长电池寿命并减少发热。对于断开开关应用,该器件可以迅速响应,实现高效的电路切换。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,考虑到其较低的输入电容 (Ciss) 和输出电容 (Coss),ZXMP6A18K 能够显著减少开关损耗。
    - 在电机驱动系统中,确保其散热条件良好,特别是在高温环境下运行时,需要使用大尺寸的散热片以维持良好的热稳定性。

    5. 兼容性和支持


    ZXMP6A18K 支持 DPAK 封装标准,可以轻松与其他标准 DPAK 封装的电子元件或设备配合使用。制造商提供了详细的技术手册和客户支持服务,帮助用户解决在设计和应用过程中可能遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:过高的功耗导致温度过高。
    - 解决办法:使用更大的散热片,改善散热条件。

    - 问题 2:高频开关下的振铃现象。
    - 解决办法:增加外部栅极电阻,减小寄生电感,以稳定开关波形。

    7. 总结和推荐


    ZXMP6A18K 在高效能、低电压的电源管理和电机驱动应用中表现出色。其低导通电阻和高速开关特性使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐这款产品给那些寻求高性能、低功耗电子元件的设计者和工程师。

ZXMP6A18K参数

参数
最大功率耗散 10.1W
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 44nC
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V(Min)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.58nF@ 30V
长*宽*高 6.8mm(宽度)
通用封装 DPAK
应用等级 汽车级

ZXMP6A18K厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP6A18K数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMP6A18K ZXMP6A18K数据手册

ZXMP6A18K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 7.0835
50+ ¥ 6.8002
100+ ¥ 6.2335
500+ ¥ 6.2335
1000+ ¥ 6.2335
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