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ZXMP4A16GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 6.4 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: ZXMP4A16GTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTA概述

    # ZXMP4A16G 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    基本介绍
    ZXMP4A16G 是一款高性能的40V P-通道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET专门设计用于减少导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能。它适用于多种高效率电源管理应用。
    主要功能
    - 最大导通电阻:RDS(on) 在 VGS=-10V 时为 60mΩ,在 VGS=-4.5V 时为 100mΩ。
    - 最大持续漏极电流:在 VGS=-10V 和 TA=+25°C 条件下为 -6.4A。
    - 快速开关速度和低输入电容。
    应用领域
    - 直流-直流转换器
    - 电源管理功能
    - 背光照明系统

    技术参数


    额定值
    - 漏源电压 (VDSS): -40V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 漏极连续电流 (ID):
    - TA = +25°C 时为 -6.4A
    - TA = +70°C 时为 -5.1A
    - 最大体二极管正向电流 (IS): -5.2A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -21A
    - 热阻 (RθJA): 稳态时为 62.5°C/W (TA=+25°C),32°C/W (TA=+70°C)
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 到 +150°C
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 在 VGS=-10V 和 ID=-3.8A 时为 60mΩ;在 VGS=-4.5V 和 ID=-2.9A 时为 100mΩ
    - 输入电容 (Ciss): 1,007pF
    - 输出电容 (Coss): 130pF
    - 传输电容 (Crss): 85pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 在 VGS=-5.0V 和 ID=-3.8A 时为 13.6nC;在 VGS=-10V 时为 26.1nC

    产品特点和优势


    ZXMP4A16G 具有多项独特的功能和优势:
    - 低输入电容:有助于降低开关损耗,提高整体效率。
    - 低导通电阻:有效减小导通损耗,提高电路的整体效率。
    - 快速开关速度:适合高频应用。
    - 绿色环保材料:无卤素、锑自由,符合RoHS标准。
    - 高标准可靠性:通过AEC-Q101认证,适用于高可靠性的汽车及其他工业应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXMP4A16G 可广泛应用于各种需要高效率电源管理的场景。例如,在背光照明系统中,它可以有效降低功耗并延长设备寿命。在直流-直流转换器中,它能够提高转换效率,减少发热。
    使用建议
    - 散热设计:确保在高负载条件下能良好散热,避免过热。
    - 合理选择栅极电阻:根据实际应用需求选择合适的栅极电阻值,以达到最优的开关性能。
    - 适当布局:在电路板设计时,确保MOSFET与散热片或其他散热装置的有效接触。

    兼容性和支持


    兼容性
    ZXMP4A16G 采用标准SOT223封装,易于与多种印刷电路板进行集成。与其他通用封装的产品相比,具有良好的互换性和兼容性。
    厂商支持
    - Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持服务。
    - 可在官网下载最新的产品信息和技术资料。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过温保护失效 | 确保散热片安装正确,并且散热路径畅通。 |
    | 开关损耗过高 | 适当降低栅极电阻,优化栅极驱动信号。 |
    | 性能不稳定 | 检查电路连接,确保所有引脚接地良好。 |

    总结和推荐


    ZXMP4A16G 是一款专为高效率电源管理设计的P-通道增强型MOSFET。它的低导通电阻和快速开关速度使其在各种应用场景中表现出色。同时,其绿色环保特性和高可靠性也使其成为汽车和其他高可靠性应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品给需要高性能、高效能的电源管理系统的设计者和制造商。
    总之,ZXMP4A16G 以其出色的性能和多样的应用场景,值得在各类高效率电源管理系统中广泛应用。

ZXMP4A16GTA参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.007nF@20V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 4.6A
配置 独立式双drain
栅极电荷 26.1nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 3.8A,10V
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP4A16GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP4A16GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMP4A16GTA ZXMP4A16GTA数据手册

ZXMP4A16GTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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