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ZXTN25050DFHTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 210mV@ 400mA,4A NPN 1.81W 7V 50nA 150V 50V 4A SOT-23-3 贴片安装 3.05mm*1.4mm*1mm
供应商型号: ZXTN25050DFHTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 三极管(BJT) ZXTN25050DFHTA

ZXTN25050DFHTA概述

    ZXTN25050DFH 50V NPN 中功率晶体管

    产品简介


    ZXTN25050DFH 是一款采用SOT23封装的50V NPN中功率晶体管。该晶体管通过先进的工艺能力和封装设计来最大化其功率处理能力和性能。由于其紧凑的尺寸和额定值,这款器件非常适合空间受限的应用场景。其主要应用包括MOSFET栅极驱动器、电源开关、电机控制、直流风扇以及直流-直流转换器等。

    技术参数


    以下是ZXTN25050DFH的技术规格和技术参数:
    - 最大击穿电压
    - 集电极-基极击穿电压 (VCBO): >150V
    - 集电极-发射极击穿电压(正向阻断) (BVCEX): >150V
    - 集电极-发射极击穿电压 (VCEO): >50V
    - 发射极-集电极击穿电压(反向阻断) (VECO): >5V
    - 电流特性
    - 连续集电极电流 (IC): 4A
    - 基极电流 (IB): 1A
    - 峰值脉冲电流 (ICM): 10A
    - 功耗和热阻
    - 在Tamb=25°C下的功耗:
    - 条件(a): PD = 1.25W
    - 条件(b): PD = 1.05W
    - 条件(c): PD = 1.25W
    - 条件(d): PD = 1.81W
    - 结温到环境温度的热阻:
    - 条件(a): RθJA = 171°C/W
    - 条件(b): RθJA = 119°C/W
    - 条件(c): RθJA = 100°C/W
    - 条件(d): RθJA = 69°C/W
    - 工作和存储温度范围: -55°C 到 150°C
    - 其他特性
    - 发射极-集电极饱和电压 (VCE(sat)): <60mV (IC=1A)
    - 输出电容 (COBO): 12pF 到 20pF (VCB=10V)

    产品特点和优势


    ZXTN25050DFH具备以下显著的特点和优势:
    - 高功率耗散:采用SOT23封装,具有较高的峰值电流和功率处理能力。
    - 高性能:具有高增益、低饱和电压(VCE(sat)<60mV),能够提供优异的性能表现。
    - 高可靠性:其150V的正向阻断电压和5V的反向阻断电压使得它具有很高的可靠性,适用于多种应用场景。
    - 紧凑封装:SOT23封装非常小巧,适合空间受限的设计。

    应用案例和使用建议


    根据手册中提供的应用场景,ZXTN25050DFH可以广泛应用于以下几个方面:
    - MOSFET栅极驱动器:可用于各种功率转换和控制应用。
    - 电源开关:可用于各种开关电源设计中。
    - 电机控制:适用于小型电机驱动电路。
    - 直流风扇:可用于电子设备中的冷却系统。
    - 直流-直流转换器:在高效率电源设计中可作为开关元件。
    在实际使用中,建议在设计时充分考虑散热问题,特别是在高功率应用场合。可以选择适当的PCB布局和散热措施以确保器件正常工作。

    兼容性和支持


    ZXTN25050DFH与其他常见的电子元器件和设备兼容,适用于广泛的电源管理和控制应用。关于技术支持和服务,Zetex公司提供了详尽的文档和支持服务,用户可以通过其官方网站或全球销售办事处获取相关支持信息。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何选择合适的PCB布局?
    - A: 在设计PCB时,确保良好的热分布并使用铜层加强散热,尤其是在高功率应用场合。
    - Q: 如何避免过高的温度?
    - A: 使用较大的PCB面积或者增加散热片来改善散热效果。
    - Q: 在多大的电流下才能保证其正常工作?
    - A: 在连续电流为4A且不超过10A的峰值电流情况下,器件可以稳定工作。

    总结和推荐


    ZXTN25050DFH是一款具备高功率处理能力和优良性能的NPN中功率晶体管,特别适用于空间受限且对性能要求较高的应用场景。其出色的可靠性、紧凑的封装以及高效能使其在市场上具备强大的竞争力。推荐用于需要高可靠性和紧凑封装的设计项目中。
    总体而言,ZXTN25050DFH是一款值得信赖的产品,适用于多种电子设计项目,尤其是对于空间和性能有较高要求的应用场合。

ZXTN25050DFHTA参数

参数
集电极截止电流 50nA
配置 独立式
最大功率耗散 1.81W
最大集电极发射极饱和电压 210mV@ 400mA,4A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极电流 4A
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
晶体管类型 NPN
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 210mV@ 400mA,4A
VCBO-最大集电极基极电压 150V
长*宽*高 3.05mm*1.4mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN25050DFHTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN25050DFHTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN25050DFHTA ZXTN25050DFHTA数据手册

ZXTN25050DFHTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.764
6000+ ¥ 1.7052
10000+ ¥ 1.6758
15000+ ¥ 1.6611
库存: 75000
起订量: 3000 增量: 3000
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最小起订量为:2500
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