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ZVN4206GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZVN4206GTA SOT223
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4206GTA

ZVN4206GTA概述

    ZVN4206G 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:N沟道增强型垂直DMOS场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:作为开关元件,在直流到直流转换器、汽车电磁阀/继电器驱动器以及步进电机驱动器和打印头驱动器等应用中发挥作用。
    应用领域:
    - 直流到直流转换器
    - 汽车电磁阀/继电器驱动器
    - 步进电机驱动器和打印头驱动器

    2. 技术参数


    最大额定值
    - 栅源电压 \( V{GS} \):±20 V
    - 漏源电压 \( V{DSS} \):60 V
    - 连续漏极电流 \( ID \):1 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):8 A
    热特性
    - 在 \( TA = +25^\circ C \) 下的最大功耗 \( P{tot} \):2 W
    - 工作温度范围 \( TJ, T{STG} \):-55°C 至 +150°C
    电气特性
    - 开启状态漏极电流 \( I{D(on)} \):3 A(\( V{DS} = 25 V \),\( V{GS} = 10 V \))
    - 静态漏源开启电阻 \( R{DS(ON)} \):1 Ω(\( V{GS} = 10 V \),\( ID = 1.5 A \))
    - 输入电容 \( C{iss} \):100 pF(\( V{DS} = 25 V \),\( V{GS} = 0 V \),\( f = 1 MHz \))
    - 输出电容 \( C{oss} \):60 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):20 pF
    动态特性
    - 导通延迟时间 \( td(on) \):8 ns
    - 导通上升时间 \( tr \):12 ns
    - 关断延迟时间 \( td(off) \):12 ns
    - 关断下降时间 \( tf \):15 ns

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑几何形状:节省空间的设计适合高密度电路板布局。
    - 快速开关速度:适用于需要快速响应的应用。
    - 无二次击穿和优秀的温度稳定性:确保长时间运行下的可靠性和稳定性。
    - 高输入阻抗和低电流驱动:简化电路设计并降低功耗。
    - 易于并联:方便多个单元并联使用以增加电流容量。
    - 无铅无卤素:符合RoHS标准,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于电动车窗控制系统的直流到直流转换器
    - 在汽车安全气囊控制系统中作为电磁阀驱动器
    使用建议:
    - 在高电流应用中考虑并联多个单元以分担负载,从而延长使用寿命。
    - 确保散热管理良好,特别是在高功率运行条件下。
    - 设计电路时注意栅极驱动信号的质量,避免因噪声引起的误触发。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适合与各种控制电路兼容,如微控制器和模拟电路。
    - 支持和维护:Diodes Incorporated提供详尽的技术文档和在线支持,帮助用户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过热损坏?
    - 解决办法:在设计散热系统时,确保良好的空气流通,使用散热片或散热器来辅助散热。
    - 问题2:如何提高电路的可靠性?
    - 解决办法:在关键节点添加滤波电容,减少纹波和噪声的影响。

    7. 总结和推荐


    总体评价:ZVN4206G MOSFET具有出色的性能参数和多重保护机制,使其在多种应用场合中表现出色。其紧凑的封装、快速的开关速度和卓越的温度稳定性使其在市场上具有很高的竞争力。
    推荐意见:强烈推荐在需要高性能、紧凑型且环境友好的N沟道MOSFET应用中使用ZVN4206G。由于其优异的特性,它非常适合于对质量和可靠性要求较高的场合。

ZVN4206GTA参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 1.5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2W(Ta)
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
配置 独立式双drain
Id-连续漏极电流 1A
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN4206GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4206GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4206GTA ZVN4206GTA数据手册

ZVN4206GTA封装设计

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