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ZXMN2B14FHTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZXMN2B14FHTA SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA概述

    ZXMN2B14FH 20V SOT23 N-channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    ZXMN2B14FH是一款来自Zetex半导体公司的新一代沟槽式MOSFET,以其低导通电阻和低栅极驱动能力而著称。这款电子元器件广泛应用于直流到直流转换器、电源管理功能、断开开关及电机控制等领域。由于其高性能特性,它成为了现代电子系统中的关键组件之一。

    2. 技术参数


    - 基本电气特性
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 20 V
    - 零栅极电压漏电流 \( I{DSS} \): ≤1 µA
    - 栅体漏电流 \( I{GSS} \): 100 nA
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 0.4 V ~ 1.0 V
    - 栅极到漏极电容 \( C{oss} \): 145 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 90 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 11 nC
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 3.7 ns
    - 上升时间 \( tr \): 5.2 ns
    - 关闭延迟时间 \( td(off) \): 30 ns
    - 下降时间 \( tf \): 5.5 ns
    - 性能参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 0.055 Ω @ V{GS}= 4.5V, I{D}= 3.5A
    - 0.075 Ω @ V{GS}= 2.5V, I{D}= 3A
    - 0.100 Ω @ V{GS}= 1.8V, I{D}= 2.6A
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - 4.3 A @ V{GS}= 4.5V, T{amb}=25°C
    - 3.5 A @ V{GS}= 4.5V, T{amb}=70°C
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 21 A
    - 工作环境
    - 操作和存储温度范围 \( T{j}, T{stg} \): -55°C ~ +150°C
    - 热阻 \( R{\theta JA} \): 125°C/W

    3. 产品特点和优势


    ZXMN2B14FH的主要特点是其低导通电阻、快速开关速度以及低栅极驱动能力。这些特性使其成为高效能应用的理想选择。在低功耗设计中,它能够显著提高效率,减少热量产生。此外,其紧凑的SOT23封装使其适用于空间受限的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMN2B14FH可用于多种应用场景,如直流到直流转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制。例如,在电池管理系统中,它可以通过提供低电阻路径来减少功率损耗。对于实际使用,建议遵循手册中提供的电路图进行设计,以确保最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    ZXMN2B14FH与标准SOT23封装兼容,可以轻松集成到现有电路中。Zetex公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。此外,Zetex在全球范围内设有多个销售办事处,确保及时响应客户需求。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品出现过热现象。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,确保符合手册中的要求。
    - 问题2: 导通电阻偏高。
    - 解决方案: 确认栅极驱动电压是否满足规范,必要时调整电路设计。
    - 问题3: 开关时间不一致。
    - 解决方案: 核对电路中的所有参数,确保所有条件都符合规范。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZXMN2B14FH以其卓越的性能和可靠的设计,成为了高性能应用的理想选择。其独特的特性和广泛的适用范围使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐将ZXMN2B14FH用于需要高效率和小尺寸的应用场景。

ZXMN2B14FHTA参数

参数
Id-连续漏极电流 3.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 3.5A,4.5V
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 11nC@ 4.5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 872pF@10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 1W(Ta)
长*宽*高 3.04mm*1.4mm*1.02mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN2B14FHTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN2B14FHTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN2B14FHTA ZXMN2B14FHTA数据手册

ZXMN2B14FHTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.486
100+ ¥ 1.991
750+ ¥ 1.782
1500+ ¥ 1.683
3000+ ¥ 1.595
库存: 5947
起订量: 1 增量: 3000
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