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ZTX655

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 200mA,1A NPN 1W 5V 100nA 150V 150V 1A TO-92 导线安装,通孔安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
DIODES 三极管(BJT) ZTX655

ZTX655概述

    # NPN硅平面中功率晶体管技术手册

    产品简介


    NPN硅平面中功率晶体管(型号:ZTX654/ZTX655)是一种专为多种应用场景设计的高性能电子元器件。这类晶体管广泛应用于电源管理、驱动电路、信号放大等多个领域。它们以高可靠性和稳定的性能著称,是现代电子产品不可或缺的重要组成部分。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | ZTX654 | ZTX655 | 单位 |

    | 集电极-基极电压 | VCBO | 125 | 150 | V |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | 125 | 150 | V |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | 5 | - | V |
    | 峰值脉冲电流 | ICM | 2 | - | A |
    | 连续集电极电流 | IC | 1 | - | A |
    | 功率耗散(TAmb=25°C) | Ptot | 1 | - | W |
    工作和存储温度范围
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 结温、存储温度 | Tj:Tstg | -55 | +200 | °C |
    电气特性(TAmb=25°C)
    | 参数 | 符号 | ZTX654 | ZTX655 | 单位 | 条件 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | 125 | 150 | V | IC=100µA, IE=0 |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | 125 | 150 | V | IC=10mA, IB=0 |
    | 发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | 5 | - | V | IE=100µA, IC=0 |
    | 集电极截止电流 | ICBO | 100 | 100 | nA | VCB=100V, IE=0 |
    | 发射极截止电流 | IEBO | 100 | 100 | nA | VEB=3V, IC=0 |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | 0.5 | 0.5 | V | IC=500mA, IB=50mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | 1.1 | 1.1 | V | IC=500mA, IB=50mA |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(on) | 1.0 | 1.0 | V | IC=500mA, VCE=5V |
    | 静态正向电流增益(DC) | hFE | 50 | 50 | - | IC=10mA, VCE=5V |
    | 转换频率 | fT | 30 | 30 | MHz | IC=10mA, VCE=20V |
    | 输出电容 | Cobo | 20 | 20 | pF | VCB=20V, f=1MHz |

    产品特点和优势


    NPN硅平面中功率晶体管具有以下独特优势:
    1. 高可靠性:该系列晶体管采用先进的硅平面工艺,确保了产品的长期稳定运行。
    2. 低饱和电压:出色的低饱和电压特性有助于减少功耗,提高效率。
    3. 宽工作温度范围:-55°C至+200°C的工作温度范围使这些晶体管能够在极端环境下工作。
    4. 高频响应:优秀的转换频率性能使其适用于需要快速响应的应用场景。
    5. 散热良好:TO92封装具有良好的热性能,有助于有效散热。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:适用于各种电源电路的设计,可以提供可靠的开关控制和电压调节功能。
    - 电机驱动:可作为电机驱动电路的核心组件,提供稳定的电流控制。
    - 信号放大:在需要放大微弱信号的应用中表现优异,如音频放大器。
    使用建议
    1. 合理布局:为了降低寄生电感和提高散热效果,建议在电路板上合理布置晶体管和其他元件。
    2. 考虑散热:考虑到工作时的发热量,务必选择合适的散热方式,例如添加散热片或散热膏。
    3. 注意接线:确保连接线缆的直径足够大,以避免电压降和热效应。

    兼容性和支持


    NPN硅平面中功率晶体管ZTX654/ZTX655支持广泛的设备和电路配置。厂家提供了详尽的技术文档和在线技术支持,以帮助用户顺利使用和维护该产品。如果您有任何疑问,建议及时联系厂家获取帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确设置散热器?
    - 解决方案:确保散热器紧密贴合晶体管的背面,并涂覆适量的导热硅脂,以增加热传导效果。
    2. 如何测试晶体管的工作状态?
    - 解决方案:可以使用万用表测量晶体管的基极、发射极和集电极之间的电阻,判断是否正常工作。
    3. 如何避免晶体管过热损坏?
    - 解决方案:在设计电路时充分考虑散热措施,如增加散热片、选用导热性能好的材料等。

    总结和推荐


    NPN硅平面中功率晶体管ZTX654/ZTX655凭借其卓越的性能、可靠性和广泛应用领域,在市场上拥有很高的竞争力。它特别适合需要高性能和高可靠性的应用场景。总体来说,该产品值得推荐给需要高效、稳定和高性能晶体管的用户。

ZTX655参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 200mA @ 1A,500mV@ 50mA @ 500mA
集电极电流 1A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 200mA,1A
最大功率耗散 1W
VEBO-最大发射极基极电压 5V
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 150V
集电极截止电流 100nA
VCBO-最大集电极基极电压 150V
晶体管类型 NPN
4.77mm(Max)
2.41mm(Max)
4.01mm(Max)
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装

ZTX655厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX655数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX655 ZTX655数据手册

ZTX655封装设计

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