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FZT655TA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 200mA,1A NPN 2W 5V 100nA 150V 150V 1A SOT-223-3 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.65mm
供应商型号: 30C-FZT655TA SOT223
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) FZT655TA

FZT655TA概述

    # FZT655 NPN Medium Power Transistor Technical Overview

    1. 产品简介


    FZT655是一款由Diodes Incorporated生产的NPN中功率晶体管,采用SOT223封装。这款晶体管适用于多种高要求的应用场景,包括但不限于工业控制、消费电子以及通信设备。它的主要功能是在电路中充当放大器或开关,以实现电流的调节和控制。

    2. 技术参数


    以下是FZT655的主要技术规格和性能参数:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 集电极-基极击穿电压 | BVCBO | - | - | 150 | V | IC = 100µA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | - | - | 150 | V | IC = 10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | BVEBO | 7 | 8.1 | - | V | IE = 100µA |
    | 集电极截止电流 | ICBO | - | <10 | 100 | nA | VCB = 125V |
    | 发射极截止电流 | IEBO | - | <10 | 100 | nA | VEB = 5.6V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat)| - | 120 | 500 | mV | IC = 500mA, IB = 50mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat)| - | 0.85 | 1.1 | V | IC = 500mA, IB = 50mA |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(on) | - | 0.74 | 1.0 | V | IC = 500mA, VCE = 5V |
    | 直流电流增益 | hFE | 50 | 85 | - | - | IC = 10mA, VCE = 5V |
    | 输出电容 | Cobo | - | - | 20 | pF | VCB = 10V, f = 1MHz |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性和稳定性:FZT655符合AEC-Q101标准,确保了在汽车和其他高可靠性应用中的稳定表现。
    - 低饱和电压:能够提供低至120mV的饱和电压,适合于需要高效能输出的应用。
    - 宽工作温度范围:FZT655的工作温度范围为-55℃到+150℃,适应恶劣的环境条件。
    - 无卤素、无锑环保材料:符合RoHS标准,且不含卤素和锑元素,为绿色环保设备。
    - 互补PNP型号FZT755:方便进行互补对称设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    FZT655适用于多种应用场景,例如:
    - 逆变器和开关电源:作为功率开关管,实现电流的调节和控制。
    - 电机驱动:通过调整输出电流来控制电机的速度和方向。
    - 传感器接口:用于信号放大和处理。
    使用建议
    - 散热管理:在高温环境下使用时,应特别注意散热问题,以避免因过热而导致性能下降或损坏。
    - 电路布局:对于高电压应用,需考虑PCB上设备终端之间的爬电距离和间隙距离,以确保安全。

    5. 兼容性和支持


    FZT655与各种标准电路板设计兼容,适用于多种电子产品。Diodes Incorporated提供了详尽的技术支持文档和客户服务中心,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断FZT655是否正常工作?
    解答: 可通过万用表测量其基极-发射极电压(VBE)和集电极-发射极电压(VCE),确认是否符合典型值范围。

    - 问题:是否需要外加散热片?
    解答: 在高负载条件下工作时,建议添加散热片以增强散热效果,避免过热损坏。

    7. 总结和推荐


    FZT655是一款具有高可靠性和广泛适用性的NPN中功率晶体管。它具备低饱和电压、高工作温度范围及环保特性等显著优势。适用于逆变器、电机驱动等多种应用场景。总的来说,FZT655在中等功率应用中表现出色,值得推荐给需要高性能、高稳定性的用户选择。

FZT655TA参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 150V
配置 独立式
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 5V
集电极截止电流 100nA
VCBO-最大集电极基极电压 150V
最大功率耗散 2W
集电极电流 1A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 200mA,1A
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 200mA,1A
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FZT655TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

FZT655TA数据手册

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FZT655TA封装设计

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