处理中...

首页  >  产品百科  >  DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 280mW(Ta) 8V 1.2V@ 250µA 0.36nC@ 4.5 V 1个N沟道 25V 4Ω@ 400mA,4.5V 240mA 27.9pF@10V DFN 贴片安装
供应商型号: DMN25D0UFA-7B
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B概述

    DMN25D0UFA MOSFET 技术手册详解

    1. 产品简介


    DMN25D0UFA 是一款由 Diodes Incorporated 生产的25V N-沟道增强型MOSFET。它被设计为最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,使其非常适合高效率电源管理应用。该器件广泛应用于负载开关、便携式设备和电源管理功能等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 25V
    - 栅源电压 (VGSS): 8V
    - 连续漏电流 (ID): 0.32A @ VGS = 4.5V,TA = +25°C;0.24A @ TA = +70°C
    - 脉冲漏电流 (IDM): 1.2A
    - 热特性:
    - 功耗 (PD): 0.63W @ TA = +25°C;0.28W @ TA = +70°C
    - 结到环境的热阻 (RθJA): 201°C/W @ TA = +25°C;338°C/W @ TA = +70°C
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 到 +150°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4Ω @ VGS = 4.5V,ID = 0.4A;5Ω @ VGS = 2.7V,ID = 0.2A
    - 输入电容 (Ciss): 27.9pF
    - 输出电容 (Coss): 6.1pF
    - 反向传输电容 (Crss): 2pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 0.36nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 0.06nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 0.04nC

    3. 产品特点和优势


    - 超低外形封装:仅0.4mm,适用于薄型应用。
    - 小巧封装:0.48mm²,比SOT23小16倍。
    - 低栅极阈值电压:可直接由电池驱动。
    - 低导通电阻:减少功率损耗。
    - 静电保护栅极:>6kV人体模式ESD保护。
    - 无铅且符合RoHS标准。
    - 无卤素和锑化合物:绿色环保设备。
    - 通过AEC-Q101认证:满足高可靠性要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关
    - 便携式设备
    - 电源管理功能
    使用建议:
    - 在高效率电源管理系统中,利用其低RDS(on)特性来降低整体功耗。
    - 需要注意温度变化对RDS(on)的影响,在高温环境下可能需要增加散热措施以保证性能稳定。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于各种便携式设备和电源管理系统。
    - 支持: 厂商提供详细的技术文档和技术支持,确保用户能充分利用该产品的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何避免过热?
    - 解决方案: 确保正确的散热设计,例如采用合适的散热片或风扇,特别是当设备在高温环境下工作时。
    - 问题2: 如何确保符合RoHS标准?
    - 解决方案: 使用Diodes Incorporated提供的认证文档,确保产品符合相关环保要求。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - DMN25D0UFA 具有优异的性能和多功能特性,适合用于高效率电源管理和便携式设备。
    - 该产品拥有较低的导通电阻和出色的开关性能,有助于提升系统的总体能效。
    - 它具有优秀的温度稳定性,能够在广泛的温度范围内可靠运行。
    推荐使用:
    - 推荐在高效率电源管理和便携式设备应用中使用 DMN25D0UFA。由于其出色的表现和环保特性,这款MOSFET是一款值得信赖的选择。

DMN25D0UFA-7B参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 240mA
栅极电荷 0.36nC@ 4.5 V
最大功率耗散 280mW(Ta)
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 27.9pF@10V
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 400mA,4.5V
Vgs-栅源极电压 8V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 25V
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN25D0UFA-7B厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN25D0UFA-7B数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN25D0UFA-7B DMN25D0UFA-7B数据手册

DMN25D0UFA-7B封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
8000+ ¥ 0.7509
12000+ ¥ 0.7442
库存: 100000
起订量: 10000 增量: 10000
交货地:
最小起订量为:8000
合计: ¥ 6007.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336