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ZVN4206GVTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 20V 3V@1mA 1个N沟道 60V 1Ω@ 1.5A,10V 1A 100pF@25V SOT-223-3 贴片安装 6.7mm*3.7mm*1.65mm
供应商型号: AV-S-DIIZVN4206GVTA
供应商: Avnet
标准整包数: 1000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4206GVTA

ZVN4206GVTA概述

    ZVN4206GV N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET



    1. 产品简介



    ZVN4206GV 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 SOT223 封装的 N 沟道增强型垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(DMOS FET)。此款器件主要用于汽车继电器驱动器和步进电机驱动等场合。由于其具备高可靠性及高效能的特点,它在多种电子设备中有着广泛的应用。


    2. 技术参数



    以下是 ZVN4206GV 的关键技术参数,便于了解其性能:

    - 最大漏源电压 \(V_{DSS}\): 60V
    - 最大栅源电压 \(V_{GS}\): ±20V
    - 连续漏极电流 \(I_D\): 1A
    - 脉冲漏极电流 \(I_{DM}\): 8A
    - 零栅源漏电流 \(I_{DSS}\): 10µA(\(V_{DS}=60V\),\(V_{GS}=0V\))
    - 栅体泄漏电流 \(I_{GSS}\): 100nA(\(V_{GS}=±20V\),\(V_{DS}=0V\))
    - 栅源阈值电压 \(V_{GS(th)}\): 1.3 - 3V
    - 静态漏源导通电阻 \(R_{DS(ON)}\): 1Ω(\(V_{GS}=10V\),\(I_D=1.5A\));1.5Ω(\(V_{GS}=5V\),\(I_D=0.5A\))
    - 前向跨导 \(g_{fs}\): 300ms
    - 输入电容 \(C_{iss}\): 100pF
    - 输出电容 \(C_{oss}\): 60pF
    - 反向传输电容 \(C_{rss}\): 20pF
    - 开启延迟时间 \(t_{d(on)}\): 8ns
    - 开启上升时间 \(t_r\): 12ns
    - 关闭延迟时间 \(t_{d(off)}\): 12ns
    - 关闭下降时间 \(t_f\): 15ns


    3. 产品特点和优势



    - 重复雪崩耐受性: 使得无需额外瞬态保护电路,简化设计和降低成本。
    - 5V逻辑驱动能力: 特别适合于现有的5V逻辑电路系统。
    - 环保无铅封装: 符合RoHS标准,不含卤素和锑,为“绿色”环保设备。
    - 高稳定性: 工作温度范围广,从-55°C到+150°C。


    4. 应用案例和使用建议



    ZVN4206GV 在多个领域中有广泛应用,如汽车继电器驱动和步进电机驱动。例如,在汽车电子控制系统中,该器件可以用于控制车灯、雨刷等部件的开关。针对实际应用,我们建议在选择电路布局时,考虑其散热性能,以避免因过热导致性能下降或损坏。此外,合理规划电源管理,保证在大电流操作下,晶体管能保持良好性能。


    5. 兼容性和支持



    该产品与其他 SOT223 封装的电子元器件具有良好的兼容性,可以方便地替换市场上同类产品。Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和售后服务,确保客户能顺利应用并解决问题。


    6. 常见问题与解决方案



    - 问:在高温环境下工作,ZVN4206GV 性能如何?
    - 答:该产品可在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作。确保在设计电路时考虑到热管理措施,以维持最佳性能。

    - 问:如何判断是否超过了最大额定值?
    - 答:请严格遵守数据手册中的最大额定值,确保工作参数不超出规定范围。若存在不确定情况,请联系技术支持寻求帮助。


    7. 总结和推荐



    ZVN4206GV N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 结合了高可靠性、高效的电气特性和环保特性,非常适合于需要承受高温和高强度电流的工作环境。建议在设计复杂电路时优先考虑此型号,特别是在要求低功耗、高效率的应用场景中。

ZVN4206GVTA参数

参数
配置 独立式双drain
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 1.5A,10V
Id-连续漏极电流 1A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
最大功率耗散 2W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN4206GVTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4206GVTA数据手册

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ZVN4206GVTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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3000+ $ 0.4417 ¥ 3.9093
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