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ZVN4206ASTZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 600 mA, E-Line封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: ET-3943944
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4206ASTZ

ZVN4206ASTZ概述

    ZVN4206A N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册解析

    产品简介


    ZVN4206A 是一款N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET)。它具有低导通电阻(RDS(on) = 1 Ω)和高击穿电压(VDS = 60V),适用于各种电力电子应用,如开关电源、电机驱动、汽车电子等。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压:VDS = 60V
    - 连续漏极电流:ID = 600mA (TAmb = 25°C)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 8A
    - 栅源电压:VGS = ± 20V
    - 功耗:Ptot = 0.7W (TAmb = 25°C)
    - 工作及存储温度范围:Tj : Tstg = -55至+150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压:BVDSS = 60V (ID = 1mA, VGS = 0V)
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = 1.3 ~ 3V (ID = 1mA, VDS = VGS)
    - 栅体漏电:IGSS = 100nA (VGS = ± 20V, VDS = 0V)
    - 零栅电压漏极电流:IDSS = 10 ~ 100μA (VDS = 60V, VGS = 0)
    - 开启状态漏极电流:ID(on) = 3A (VDS = 25V, VGS = 10V)
    - 静态漏源开启电阻:RDS(on) = 1 ~ 1.5Ω (VGS = 10V, ID = 1.5A; VGS = 5V, ID = 500mA)
    - 前向跨导:gfs = 300mS (VDS = 25V, ID = 1.5A)
    - 输入电容:Ciss = 100pF
    - 输出电容:Coss = 60pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 反转转移电容:Crss = 20pF
    - 开启延迟时间:td(on) = 8ns
    - 上升时间:tr = 12ns
    - 关闭延迟时间:td(off) = 12ns
    - 下降时间:tf = 15ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) = 1 Ω,适用于高效率的应用场景。
    - 高耐压:击穿电压高达60V,可以处理更高的电压负载。
    - 高开关速度:低延迟时间和快速上升/下降时间使其适合高频开关应用。
    - 广泛的工作温度范围:从-55°C到+150°C,适应各种严苛的工业环境。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关电源:利用其高开关速度和低导通电阻,可以显著提高电源转换效率。
    - 电机驱动:能够有效控制电机的启停和速度,提升系统性能。

    - 使用建议:
    - 散热管理:由于较高的功耗(Ptot = 0.7W),需要确保良好的散热设计以避免过热。
    - 电压匹配:确保栅源电压不超过20V,同时保持合适的驱动信号以防止栅极过电压损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZVN4206A 是 TO92 封装,易于与其他标准 TO92 封装的组件进行替换。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术支持和售后服务,以帮助用户解决在设计和使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何防止过温损坏?
    - A: 确保电路板有足够的散热孔和散热片,或者使用散热膏来加强散热效果。如果可能,可以考虑增加一个散热器来帮助降温。

    - Q: 开关速度慢怎么办?
    - A: 检查驱动信号的质量和频率是否合适。如果驱动信号不够强或频率不合适,可能会导致开关速度变慢。可以通过优化驱动电路来提高开关速度。

    总结和推荐


    ZVN4206A 以其低导通电阻、高耐压和高开关速度成为市场上的一款高性能 N沟道增强型垂直DMOS FET。无论是从产品参数还是实际应用来看,都表现出色。我们强烈推荐此产品用于需要高效能电力电子应用的设计中。

ZVN4206ASTZ参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 1.5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
栅极电荷 -
最大功率耗散 700mW(Ta)
Id-连续漏极电流 600mA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN4206ASTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4206ASTZ数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4206ASTZ ZVN4206ASTZ数据手册

ZVN4206ASTZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.1138 ¥ 9.4116
10+ $ 0.8969 ¥ 7.579
100+ $ 0.7869 ¥ 6.6495
500+ $ 0.6388 ¥ 5.3982
1000+ $ 0.4818 ¥ 4.0716
5000+ $ 0.3365 ¥ 2.8431
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