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2N7002W-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 200mW(Ta) 20V 2V@ 250µA 1个N沟道 60V 7.5Ω@ 50mA,5V 115mA 50pF@25V SOT-323 贴片安装 2.2mm*1.35mm*1mm
供应商型号: CEI-2N7002W-7
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) 2N7002W-7

2N7002W-7概述

    2N7002W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    1. 产品简介


    2N7002W 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型场效应晶体管(FET)。这类晶体管主要用于需要低导通电阻、低栅极阈值电压及快速开关速度的应用。其广泛应用于汽车电子、通信系统、消费电子等领域。

    2. 技术参数


    2N7002W 的技术参数如下:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 60 | - | - | V | - |
    | 漏栅电压 | RGS ≤ 1.0MΩ | VDGR | 60 | - | V | - |
    | 栅源电压 | 连续脉冲 | VGSS | ±20 | ±40 | V | - |
    | 漏极电流(注 5) | 持续 | ID | 115 | - | mA | - |
    | 漏极电流(注 5) | 持续 @ +100°C | ID | 73 | - | mA | - |
    | 漏极电流(注 5) | 脉冲 | ID | 800 | - | mA | - |
    | 总功率耗散(注 5) | PD | - | - | 200 | mW | - |
    | 热阻抗,结至环境 | RθJA | 625 | - | - | °C/W | - |
    | 工作和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 | - | +150 | °C | - |

    3. 产品特点和优势


    2N7002W 拥有多项独特功能和优势:
    - 低导通电阻:适合低损耗和高效率应用。
    - 低栅极阈值电压:便于驱动,减少功耗。
    - 低输入电容:降低对信号干扰,提升频率响应。
    - 快速开关速度:适合高频应用,减少切换损耗。
    - 低输入/输出泄漏:保证长期稳定运行。
    - 超小型表面贴装封装:节省空间,便于组装。

    4. 应用案例和使用建议


    2N7002W 主要应用于汽车电子、通信系统、电源管理等领域。例如,在汽车应用中,它可以用于车身控制模块中的信号放大和切换。对于高频应用,建议选择合适的 PCB 布局以确保低寄生电感和电容,从而实现最佳性能。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计符合 Diodes Incorporated 推荐的布局标准,以便最大限度地提高性能并减少信号干扰。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计以避免因过热而影响性能。

    5. 兼容性和支持


    2N7002W 与其他常见的表面贴装元件兼容,适用于多种标准制造工艺。Diodes Incorporated 提供了详尽的技术支持,包括设计指南和售后维护服务。用户可以访问其官方网站获取更多关于封装和兼容性的信息。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是几个用户可能会遇到的问题及其解决方案:
    - 问题: 无法达到预期的开关速度。
    - 解决方案: 检查 PCB 设计是否存在过多的寄生电容和电感,导致开关速度下降。重新布局 PCB 并使用更短的引线以减少寄生效应。
    - 问题: 晶体管工作时出现异常发热。
    - 解决方案: 检查电路设计是否合理,确认是否有足够的散热措施。增加散热片或使用更好的散热材料可以有效降低工作温度。

    7. 总结和推荐


    总体来看,2N7002W 是一款性能优异、可靠性高的 N 沟道增强型场效应晶体管。它具有低导通电阻、低栅极阈值电压、快速开关速度等特点,非常适合于高频、低功耗的应用场合。强烈推荐在汽车电子、通信系统和电源管理领域中使用此产品。
    综上所述,2N7002W 是一个值得信赖的选择,尤其适用于需要高效率和高性能的应用场合。

2N7002W-7参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
最大功率耗散 200mW(Ta)
Id-连续漏极电流 115mA
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 50mA,5V
长*宽*高 2.2mm*1.35mm*1mm
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

2N7002W-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

2N7002W-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES 2N7002W-7 2N7002W-7数据手册

2N7002W-7封装设计

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