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ZXT10P40DE6TA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 300mV@ 200mA,2A PNP 1.7W 5V 100nA 40V 40V 2A SOT-23-6 贴片安装 3.1mm*1.8mm*1.3mm
供应商型号: 30C-ZXT10P40DE6TA SOT26
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXT10P40DE6TA

ZXT10P40DE6TA概述

    ZXT10P40DE6 PNP Transistor 技术手册

    产品简介


    ZXT10P40DE6 是一款适用于多种应用场合的40V PNP低饱和电压开关晶体管,封装于SOT26外壳内。此型号晶体管广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及功率开关等领域。它具有高可靠性和低功耗的特点,非常适合于需要高效能和高稳定性的设计。

    技术参数


    以下是ZXT10P40DE6的技术规格和关键参数:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): -40V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): -40V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): -5V
    - 基极电流 (IB): -500mA
    - 连续集电极电流 (IC): -2A
    - 峰值脉冲集电极电流 (ICM): -4A
    - 热阻(结到环境)(RθJA): 113°C/W
    - 热阻(结到引脚)(RθJL): 18.61°C/W
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55至+150°C
    - 电气特性
    - 断态特性
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): -40V 至 -80V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): -40V 至 -70V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): -5V 至 -8.8V
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): ≤ -100nA
    - 发射极截止电流 (IEBO): ≤ -100nA
    - 集电极-发射极截止电流 (ICES): ≤ -100nA
    - 通态特性
    - 直流电流增益 (hFE): 300 至 480
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): -25mV 至 -40mV (IC = -100mA, IB = -10mA)
    -150mV 至 -220mV (IC = -1A, IB = -100mA)
    -195mV 至 -300mV (IC = -1.5A, IB = -100mA)
    -210mV 至 -300mV (IC = -2A, IB = -200mA)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): -0.95V 至 -1.0V (IC = -2A, IB = -200mA)
    - 基极-发射极导通电压 (VBE(on)): -0.85V 至 -0.95V (IC = -2A, VCE = -2V)
    - 小信号特性
    - 电流增益-带宽积 (fT): 150MHz 至 190MHz (VCE = -10V, IC = -50mA, f = 100MHz)
    - 输出电容 (Cobo): 19pF 至 25pF (VCB = -10V, f = 1MHz)

    产品特点和优势


    ZXT10P40DE6具有以下特点和优势:
    - 低饱和电压:在-220mV的条件下能够承受-1A的连续集电极电流,使其在高电流环境中表现更佳。
    - 高可靠性:通过AEC-Q101标准认证,符合严格的可靠性要求。
    - 环保设计:无铅、全符合RoHS标准,采用“绿色”模具化合物,不含卤素和锑。
    - 宽温范围:工作和存储温度范围广,适合极端环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在DC-DC转换器中作为功率开关使用,以实现高效的电压转换。
    - 在电机控制电路中作为驱动器使用,确保稳定的电流输出。
    - 在电源管理系统中作为控制开关使用,提升整体系统的效率。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,在高温环境下工作时应采取适当的散热措施。
    - 在设计电路时应注意匹配合适的电阻和电容,以避免信号失真。
    - 使用前务必检查所有连接,确保焊点可靠。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXT10P40DE6与其他PNP晶体管在功能上兼容,可直接替代使用。
    - 支持:Diodes Incorporated提供详细的技术文档和在线支持,包括详细的封装信息、典型应用电路和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现异常电压降。
    - 解决方法:检查外围电路中是否有不良的接地连接。
    - 问题2:长时间使用后出现温度过高的情况。
    - 解决方法:增加外部散热片或者改变散热方式,确保热管理良好。
    - 问题3:电流增益不稳定。
    - 解决方法:确认输入电流和电压在规定的范围内,检查外围电路的噪声水平。

    总结和推荐


    综上所述,ZXT10P40DE6是一款高可靠性、高性能的PNP晶体管,特别适用于电源管理和电机控制等高要求的应用场合。它的低饱和电压、高可靠性以及绿色环保的设计使得它在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐该产品给寻求高性能、环保和可靠解决方案的设计工程师们。
    如果您对ZXT10P40DE6有任何疑问或需要进一步的帮助,欢迎访问Diodes Incorporated官方网站或联系他们的技术支持团队。

ZXT10P40DE6TA参数

参数
集电极电流 2A
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 200mA,2A
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
VEBO-最大发射极基极电压 5V
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 100nA
最大功率耗散 1.7W
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 200mA,2A
VCBO-最大集电极基极电压 40V
长*宽*高 3.1mm*1.8mm*1.3mm
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXT10P40DE6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXT10P40DE6TA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXT10P40DE6TA ZXT10P40DE6TA数据手册

ZXT10P40DE6TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.892
100+ ¥ 1.507
750+ ¥ 1.342
1500+ ¥ 1.265
3000+ ¥ 1.21
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