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ZXM61N02FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 1.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 26M-ZXM61N02FTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA概述


    产品简介


    ZXM61N02F 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
    ZXM61N02F 是一种新型的高密度功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Zetex 公司生产。该器件专为高效率、低电压电源管理应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其主要功能包括作为断路开关、直流-直流转换器、电源管理等功能的核心组件。

    技术参数


    - 最大耐压值:20V(VDSS)
    - 最大连续漏极电流:1.7A(VGS=4.5V;TA=25°C);1.3A(VGS=4.5V;TA=70°C)
    - 脉冲漏极电流:7.4A(IDM)
    - 静态导通电阻:0.18Ω(VGS=4.5V;ID=0.93A)
    - 阈值电压:0.7V(ID=250µA,VDS=VGS)
    - 零门限栅极电压漏极电流:1µA(VDS=20V,VGS=0V)
    - 输入电容:160pF(VDS=15V,VGS=0V)
    - 输出电容:50pF(f=1MHz)
    - 反向传输电容:30pF
    - 开关延迟时间:2.4ns
    - 上升时间:4.2ns
    - 关断延迟时间:7.8ns
    - 下降时间:4.2ns
    - 总栅极电荷:3.4nC
    - 源极-漏极二极管前向电压:0.95V(TJ=25°C,IS=0.93A,VGS=0V)
    - 反向恢复时间:12.9ns
    - 反向恢复电荷:5.2nC

    产品特点和优势


    ZXM61N02F 具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:导通电阻仅为 0.18Ω,这使得它在低电压应用中表现出色。
    - 高速开关能力:极短的开关时间和延迟时间确保了高效的电力转换。
    - 低阈值电压:只需要很低的门极驱动电压即可实现有效的开关控制。
    - SOT23 封装:小型封装使得该器件非常适合紧凑型设计。
    这些特点使 ZXM61N02F 在直流-直流转换器、电源管理、断路开关及电机控制等应用中具备显著的竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 直流-直流转换器:ZXM61N02F 作为关键的开关元件,适用于需要高效能量转换的电源模块。
    2. 电源管理:可以作为分立式电源管理器件,提供高效的能源分配和转换。
    3. 断路开关:用于保护电路免受过流损害,如电机启动时的瞬态保护。
    4. 电机控制:适合在低电压环境下驱动电机,例如在家电产品中。
    使用建议
    - 散热管理:在高功率应用场景下,应注意散热措施,避免因温度过高导致损坏。
    - 栅极驱动电路设计:确保合适的栅极驱动电压以维持稳定的开关特性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXM61N02F 适用于标准的 SOT23 封装引脚配置,可轻松与其他同类电子元器件配合使用。
    - 支持和服务:Zetex 公司提供了详尽的技术支持文档和客户支持服务,确保客户能够获得所需的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开关时间过长?
    - 解决方案:检查栅极驱动电压是否足够高。如果电压不足,考虑增加外部驱动电路。
    2. 问题:过热现象严重?
    - 解决方案:确保散热片或冷却系统能够有效散热。也可以考虑在电路设计上进行优化,减少发热。
    3. 问题:漏极电流不稳定?
    - 解决方案:重新检查负载和电源电压是否在额定范围内,同时确保栅极驱动信号稳定。

    总结和推荐


    综上所述,ZXM61N02F 是一款非常适用于低电压、高效率应用场合的 MOSFET,具有优秀的导通特性和高速开关能力。它特别适合用于直流-直流转换器、电源管理和断路开关等领域。因此,我们强烈推荐 ZXM61N02F 给需要高性能 MOSFET 的工程师和技术人员。

ZXM61N02FTA参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 160pF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 930mA,4.5V
Id-连续漏极电流 1.7A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA (Min)
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 3.4nC@ 4.5 V
最大功率耗散 625mW(Ta)
配置 独立式
通道数量 1
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.03mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXM61N02FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXM61N02FTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXM61N02FTA ZXM61N02FTA数据手册

ZXM61N02FTA封装设计

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500+ ¥ 0.6796
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