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DMN3033LSN-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.4W(Ta) 20V 2.1V@ 250µA 10.5nC@ 5 V 1个N沟道 30V 30mΩ@ 6A,10V 6A 755pF@10V SC-59-3 贴片安装 3mm*1.6mm*1.15mm
供应商型号: DMN3033LSN-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7概述

    # DMN3033LSN N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    DMN3033LSN 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,由 Diodes Incorporated 生产。它以其低导通电阻(RDS(ON))、超低栅极电荷(Qg)以及高可靠性设计成为开关电源和驱动电路的理想选择。该器件广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及便携式设备等领域。
    主要功能
    - 支持高效率能量转换
    - 低静态功耗
    - 高速开关能力
    应用领域
    - AC/DC 转换器
    - DC/DC 转换器
    - 电池管理
    - LED 驱动电路

    技术参数


    以下是 DMN3033LSN 的关键性能参数,便于用户参考和应用设计。
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 30 | - | - | V | ID = 250µA, VGS = 0V |
    | 栅源漏电流 | IDSS | - | - | 15 | µA | VDS = 30V, VGS = 0V |
    | 栅极漏电流 | IGSS | - | ±100 | - | nA | VDS = 0V, VGS = ±20V |
    | 栅极开启电压 | VGS(TH) | 1.0 | - | 2.1 | V | VDS = VGS, ID = 250µA |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | - | 30 | 40 | mΩ | VGS = 10V, ID = 6A |
    | 栅极电荷 | Qg | - | 10.5 | - | nC | VGS = 5V, VDS = 15V, ID = 6A |
    其他动态参数包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)等,详见原文档。

    产品特点和优势


    DMN3033LSN 的独特功能使其在多种应用场景中脱颖而出:
    1. 低导通电阻:在 10V 和 4.5V 栅极电压下,典型导通电阻分别仅为 30mΩ 和 40mΩ,可显著降低功耗。
    2. 低栅极电荷:典型栅极电荷 Qg 为 10.5nC,实现高效快速开关。
    3. 完全无铅,符合 RoHS 标准:绿色环保设计符合全球环保要求。
    4. 高可靠性认证:通过 AEC-Q101 标准认证,适合汽车电子应用。
    5. 小型封装:SC59 封装体积小巧,适合紧凑设计。

    应用案例和使用建议


    DMN3033LSN 在以下场景中表现出色:
    1. 开关电源:利用其低导通电阻和高速开关能力,减少功率损耗并提高效率。
    2. 电机驱动电路:适用于需要快速响应的应用场景。
    3. LED 驱动:结合低噪声特性和高效率,是理想的驱动方案。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计以避免过热。
    - 使用适当的 PCB 布局以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:DMN3033LSN 可与其他主流器件互换使用,具体兼容性请参阅官方文档。
    - 支持服务:Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档、应用指南及售后服务,确保用户在开发过程中获得全面支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 优化散热设计或降低工作频率 |
    | 栅极驱动电压不足 | 增加驱动能力或调整电路参数 |
    | 输出电压不稳定 | 检查外部元件连接和布局正确性 |

    总结和推荐


    DMN3033LSN N 沟道增强型 MOSFET 是一款兼具高性能与高可靠性的电子元件,尤其适合追求低功耗和高效能的设计需求。其优异的电气特性和绿色环保设计使其成为众多领域的首选产品。推荐所有需要高效率、低功耗解决方案的设计者选用此器件。
    结论:推荐使用。

DMN3033LSN-7参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 1.4W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 755pF@10V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 6A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 10.5nC@ 5 V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
长*宽*高 3mm*1.6mm*1.15mm
通用封装 SC-59-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN3033LSN-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN3033LSN-7数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN3033LSN-7 DMN3033LSN-7数据手册

DMN3033LSN-7封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.4355
6000+ ¥ 0.402
12000+ ¥ 0.3953
24000+ ¥ 0.3853
48000+ ¥ 0.3853
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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