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ZXMN3B04N8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 12V 700mV@ 250µA (Min) 23.1nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 25mΩ@ 7.2A,4.5V 7.2A 2.48nF@15V SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.5mm
供应商型号: 3943988
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA概述

    # ZXMN3B04N8 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    ZXMN3B04N8是一款由Diodes Incorporated生产的30V N沟道增强型MOSFET,具有出色的低导通电阻(RDS(ON))和高速开关速度。该产品适用于高效率、低电压电源管理应用,如DC-DC转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制等。

    技术参数


    额定值
    - 漏源电压(VDSS): 30V
    - 栅源电压(VGS): ±12V
    - 连续漏极电流(ID): 8.9A @ VGS=4.5V, TA=+25°C
    - 脉冲漏极电流(IDM): 45A
    - 连续源电流(IS): 4.5A
    - 脉冲源电流(ISM): 45A
    - 热阻(Junction to Ambient, RθJA): 62.5°C/W (Notes 5), 41.4°C/W (Notes 6)
    电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS): 30V
    - 零栅源漏电流(IDSS): 0.5µA @ VDS=30V, VGS=0V
    - 栅体泄漏电流(IGSS): 100nA @ VGS=±12V, VDS=0V
    - 栅源阈值电压(VGS(TH)): 0.7V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)): 0.025Ω @ VGS=4.5V, ID=7.2A
    - 输入电容(Ciss): 2480pF
    - 输出电容(Coss): 318pF
    - 反向传输电容(Crss): 184pF
    - 开关时间(tD(ON), tR, tD(OFF), tF): 9ns, 11.5ns, 40ns, 16.6ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.025Ω @ VGS=4.5V, ID=7.2A
    - 高速开关:低栅极驱动要求,适合高频率应用
    - 低门限电压:仅需2.5V即可正常工作
    - 低剖面封装:SO-8封装,易于焊接且节省空间
    - 无铅设计:完全符合RoHS标准
    - 环保材料:不含卤素和锑,属于“绿色”设备

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC-DC转换器:适用于各类电源管理电路中的直流到直流转换器,提供高效的电力转换。
    - 电机控制:适合用于各种电机控制系统中,提高系统的响应速度和能效。
    - 断开开关:可用于系统中的断开开关功能,确保安全和可靠性。
    使用建议
    - 电路设计:在设计电路时,应考虑到散热问题,尤其是对于大功率应用,可能需要外部散热片或其他散热措施。
    - 测试与验证:在实际应用前,应进行充分的测试和验证,确保产品能够在预期环境中稳定工作。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:SO-8封装,与大多数PCB设计兼容,便于集成。
    - 技术支持:Diodes Incorporated提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括产品认证、安装指南等。

    常见问题与解决方案


    1. 问:产品最大工作温度是多少?
    - 答:产品的存储和工作温度范围为-55°C至+150°C。

    2. 问:如何确定产品的使用寿命?
    - 答:根据厂商提供的数据,产品的额定寿命应考虑工作温度、电流和散热条件等因素。

    总结和推荐


    ZXMN3B04N8是一款非常优秀的30V N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高速开关和环保特性,适用于多种高效率的电源管理应用。总体而言,该产品具有出色的性能表现和广泛的应用潜力,非常适合需要高性能和环保要求的应用场合。强烈推荐使用此产品。

ZXMN3B04N8TA参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 7.2A,4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 7.2A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 2W(Ta)
栅极电荷 23.1nC@ 4.5 V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式quaddraintriplesource
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA (Min)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.48nF@15V
长*宽*高 5mm*4mm*1.5mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3B04N8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3B04N8TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TA数据手册

ZXMN3B04N8TA封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.6141
10+ ¥ 5.7682
100+ ¥ 5.1683
500+ ¥ 5.076
1000+ ¥ 4.9837
5000+ ¥ 4.9837
库存: 408
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