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ZXMC6A09DN8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W 20V 1V@ 250µA (Min) 24.2nC@ 10V 2N+2P沟道 60V 45mΩ@ 8.2A,10V 3.9A,3.7A 1.407nF@ 40V,1.58nF@ 40V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: ZXMC6A09DN8TA
供应商: 国内现货
标准整包数: 500
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA概述

    ZXMC6A09DN8 技术手册:概述与分析

    产品简介


    ZXMC6A09DN8 是由 Zetex 公司开发的新一代沟槽式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高效率、低电压电源管理应用。这种元器件主要分为 N 沟道和 P 沟道两种型号,具体技术规格如下:
    - N 沟道:V(BR)DSS = 60V,RDS(ON) = 0.045Ω,ID = 5.1A
    - P 沟道:V(BR)DSS = -60V,RDS(ON) = 0.055Ω,ID = -4.8A
    这些产品广泛应用于电机驱动和 LCD 背光照明等领域。

    技术参数


    以下是 ZXMC6A09DN8 的详细技术参数:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 条件 |
    | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 60 / -60 | V | ID = 250µA, VGS = 0V |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | 1.0 / -1.0 | μA | VDS = 60 / -60V, VGS = 0V |
    | 栅极体泄漏 | IGSS | 100 | nA | VGS = ±20V, VDS = 0V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 / -1.0 | V | ID = 250μA, VDS = VGS |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.045 / 0.055 | Ω | VGS = 10V, ID = 8.2A / VGS = -10V, ID = -3.5A |
    | 输入电容 | Ciss | 1407 / 1580 | pF | VDS = 40 / -30V, VGS = 0V, f = 1MHz |
    | 输出电容 | Coss | 121 / 160 | pF | f = 1MHz |
    | 反向传输电容 | Crss | 59 / 140 | pF
    | 开关时间 | td(on) | 4.9 / 4.6 | ns | VDD = 30 / -30V, ID = 1.0 / -1A, RG = 6.0Ω, VGS = 10 / -10V |
    | 上升时间 | tr | 3.3 / 5.8 | ns
    | 关断延时 | td(off) | 28.5 / 55 | ns
    | 下降时间 | tf | 11.0 / 23 | ns
    | 栅极电荷 | Qg | 12.4 / 23 | nC | VDS = 15 / -30V, VGS = 5 / -5V, ID = 3.5 / -3.5A |
    | 总栅极电荷 | Qg | 24.2 / 44 | nC
    | 栅源电荷 | Qgs | 5.2 / 3.9 | nC
    | 栅漏电荷 | Qgd | 3.5 / 9.8 | nC

    产品特点和优势


    ZXMC6A09DN8 的主要特点包括:
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 快速开关速度
    - 低栅极驱动要求
    - 低阈值电压
    - 封装小巧,便于集成
    这些特点使得 ZXMC6A09DN8 在高效率电源管理和电机驱动应用中表现出色。特别是其低导通电阻和快速开关速度能够显著提高系统效率,降低能量损耗,是市场上极具竞争力的产品之一。

    应用案例和使用建议


    ZXMC6A09DN8 广泛应用于以下领域:
    - 电机驱动:通过低导通电阻和快速开关速度,减少电机运行时的能量损耗,提高整体能效。
    - LCD 背光照明:确保背光电路的高效运行,提供稳定且持久的照明效果。
    对于使用 ZXMC6A09DN8 的电路设计,建议:
    - 确保电路板设计符合散热要求,特别是在高负载条件下。
    - 注意选择合适的栅极电阻以优化开关性能。

    兼容性和支持


    ZXMC6A09DN8 采用标准 SOIC-8 封装,易于与现有电路板进行焊接连接。Zetex 公司为客户提供详尽的技术支持,包括产品手册、应用指南和技术咨询服务。此外,公司在全球范围内拥有广泛的代理商网络,可为客户提供便捷的采购和售后支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:ZXMC6A09DN8 的最大漏极电流是多少?
    - 答:N 沟道型号的最大连续漏极电流为 5.1A;P 沟道型号的最大连续漏极电流为 -4.8A。

    2. 问:如何防止过热损坏?
    - 答:请参考手册中的热阻抗数据(如 RθJA),并采取适当的散热措施,例如使用散热片或增加空气流动。
    3. 问:ZXMC6A09DN8 的栅极驱动电压范围是多少?
    - 答:栅极驱动电压范围为 ±20V,确保正确设置栅极电阻以避免过高的栅极驱动电压。

    总结和推荐


    ZXMC6A09DN8 是一款高性能的 MOSFET,适用于多种电源管理和驱动应用。其低导通电阻和快速开关速度使其成为市场上具有竞争优势的产品。建议在需要高效率、低能量损耗的应用中优先考虑使用。无论是在电机驱动还是 LCD 背光照明中,ZXMC6A09DN8 都将发挥出色表现。同时,Zetex 提供的全面技术支持和全球销售渠道也为其增加了不少加分项。总体来说,ZXMC6A09DN8 是值得推荐的优质产品。

ZXMC6A09DN8TA参数

参数
配置
Id-连续漏极电流 3.9A,3.7A
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 24.2nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 8.2A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.407nF@ 40V,1.58nF@ 40V
最大功率耗散 2.1W
FET类型 2N+2P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA (Min)
通道数量 2
4.95mm(Max)
3.95mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMC6A09DN8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMC6A09DN8TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA数据手册

ZXMC6A09DN8TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ ¥ 4.8409
1500+ ¥ 4.6782
5000+ ¥ 4.5968
5500+ ¥ 4.5562
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