处理中...

首页  >  产品百科  >  ZX5T851GTA

ZX5T851GTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN低饱和度双极晶体管, SOT-223 (SC-73)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流6 A, 最大集电极-发射电压60 V
供应商型号: 30C-ZX5T851GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZX5T851GTA

ZX5T851GTA概述

    ZX5T851G:60V NPN中功率低饱和度晶体管

    产品简介


    ZX5T851G 是一款由 Diodes Incorporated 生产的60V NPN中功率低饱和度晶体管,封装形式为SOT223。这款晶体管适用于多种应用场景,如应急照明电路、MOSFET及IGBT门极驱动、电磁阀、继电器和执行器驱动、直流模块及电机控制等领域。该晶体管具有高连续集电极电流、峰值脉冲电流以及低饱和电压等特性,使其成为高性能电子设计的理想选择。

    技术参数


    以下是ZX5T851G的主要技术参数,具体细节如下:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    | : | : | : | : | : | : | : |
    | 集电极-基极击穿电压 | BVCBO | - | - | 190 | V | IC = 100μA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCER | - | - | 190 | V | IC = -1μA, RB ≤ 1kΩ |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | 60 | - | 80 | V | IC = 10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | BVEBO | 7 | - | 8.1 | V | IE = 100μA |
    | 集电极截止电流 | ICBO | <1 | - | 20 | nA | VCB = 120V |
    | 集电极截止电流 | ICER | <1 | - | 20 | nA | VCB = 120V, TA = +100°C |
    | 发射极截止电流 | IEBO | <1 | - | 10 | nA | VEB = 6V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | - | 20 | 30 | mV | IC = 100mA, IB = 5mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | - | 1000 | 1100 | mV | IC = 6A, IB = 300mA |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(on) | - | 940 | 1050 | mV | IC = 6A, VCE = 1V |
    | 直流电流增益 | hFE | 100 | 200 | - | IC = 10mA, VCE = 1V |

    产品特点和优势


    ZX5T851G的主要特点包括:
    - 高连续集电极电流(6A)
    - 高峰值脉冲电流(20A)
    - 低饱和电压(VCE(sat) < -60mV @ -1A)
    - 低等效导通电阻(RSAT = 35mΩ)
    - AEC-Q101标准认证,适用于高可靠性应用
    这些特性使得ZX5T851G非常适合用于需要高可靠性的电力应用场合,同时具备出色的性能和耐久性,确保了广泛的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    ZX5T851G广泛应用于各种电力控制系统中。例如,在应急照明系统中,该晶体管可以高效地切换电源以确保持续供电;在MOSFET和IGBT的门极驱动中,它可以提供稳定的信号转换;在电磁阀和电机控制应用中,它能够有效地管理和控制电流。
    对于用户来说,正确的电路布局和散热措施至关重要。建议使用大尺寸铜箔以提高散热效果,特别是在高负载运行时。同时,合理的电路设计有助于减少热量积聚,延长器件寿命。

    兼容性和支持


    ZX5T851G采用无卤素且符合RoHS标准的材料,可满足现代环保要求。此外,它与Diodes Incorporated的其他电子元件兼容,并提供相关技术支持和维护服务。用户可以通过访问Diodes Incorporated的官方网站获取详细的包装信息和布局指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:饱和电压过高导致性能下降。
    - 解决方案:检查电路布局,确保良好的散热措施,并确认电源供应稳定。

    - 问题2:启动延迟时间过长。
    - 解决方案:优化门极驱动电路,确保足够的驱动电流。
    - 问题3:出现意外失效。
    - 解决方案:验证电源电压和负载电流是否在安全范围内,避免过度使用。

    总结和推荐


    总体而言,ZX5T851G是一款出色的NPN中功率低饱和度晶体管,具备优秀的性能和可靠性。无论是用于应急照明系统还是电机控制应用,它都能提供稳定而高效的性能。强烈推荐使用该产品,尤其在需要高可靠性的电力系统中。

ZX5T851GTA参数

参数
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极截止电流 20nA
VCBO-最大集电极基极电压 150V
最大功率耗散 3W
最大集电极发射极饱和电压 260mV@ 300mA,6A
配置 独立式
集电极电流 6A
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 260mV@ 300mA,6A
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZX5T851GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZX5T851GTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZX5T851GTA ZX5T851GTA数据手册

ZX5T851GTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.058
50+ ¥ 2.354
1000+ ¥ 1.969
库存: 269
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 3.05
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886