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ZXTN618MATA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 270mV@ 125mA,4.5A NPN 2.45W 7V 25nA 40V 20V 4.5A DFN-2020B-3 贴片安装 2mm*2mm*600μm
供应商型号: ZXTN618MATA
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 三极管(BJT) ZXTN618MATA

ZXTN618MATA概述

    ZXTN618MA 20V NPN低饱和电压晶体管

    产品简介


    ZXTN618MA 是一款由Diodes Incorporated推出的20V NPN低饱和电压晶体管,专为各种高要求的应用场景设计。此晶体管具有高效能和紧凑的封装,适用于多种电路设计中,如MOSFET栅极驱动、DC-DC转换器、充电电路、电源开关及电机控制等。

    技术参数


    以下是ZXTN618MA的主要技术参数,有助于评估其性能和适用范围:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 集电极-基极击穿电压 | BVCBO | 40 | 100 | - | V | IC = 100 µA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | 20 | 27 | - | V | IC = 10 mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | BVEBO | 7 | 8.2 | - | V | IE = 100 µA |
    | 集电极截止电流 | ICBO | - | - | 100 | nA | VCB = 30V |
    | 发射极截止电流 | IEBO | - | - | 100 | nA | VEB = 6V |
    | 集电极-发射极截止电流 | ICES | - | - | 100 | nA | VCES = 16V |
    | 静态正向电流传输比 | hFE | 200 | 300 | 450 | - | IC = 10mA, VCE = 2V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | - | - | 150 | mV | IC = 1A, IB = 10mA |
    | 基极-发射极开启电压 | VBE(on) | - | 0.88 | 0.97 | V | IC = 4.5A, VCE = 2V |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | - | 0.98 | 1.07 | V | IC = 4.5A, IB = 125mA |
    其他关键特性包括:
    - 连续集电极电流:4.5A
    - 低饱和电压:最大150mV(在1A)
    - 等效导通电阻:47mΩ
    - 低轮廓封装:0.6mm高
    - 热阻抗:RθJA高效,比SOT23降低60%
    - 封装尺寸:4mm²,比SOT23小50%
    - 符合RoHS标准,无铅、无卤素

    产品特点和优势


    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,适用于高可靠性要求的应用。
    - 低饱和电压:饱和电压低至150mV,适合高性能的开关应用。
    - 高效率:低导通电阻,能有效减少功耗。
    - 紧凑设计:低轮廓封装,适合薄型应用。
    - 易用性:易于集成,可简化PCB布局设计。

    应用案例和使用建议


    ZXTN618MA晶体管广泛应用于多种场合,例如MOSFET栅极驱动、直流-直流转换器和充电电路。在这些应用中,它能够提供稳定的性能,帮助工程师实现高效、可靠的电路设计。具体应用时,应确保散热良好,以避免过热引起的性能下降。此外,在进行设计时,需考虑适当的布线布局,以充分利用其低导通电阻的优势。

    兼容性和支持


    该产品可与其他常见的电子元器件和设备兼容。Diodes Incorporated提供了详尽的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和使用这款晶体管。客户可以访问官方网站获取更多技术支持资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的散热方案?
    - 解答:根据产品的热阻抗参数(RθJA)计算所需的散热面积,同时确保热源的良好接触。参考官方提供的热管理指南进行设计。
    - 问题:如何选择合适的基极驱动电流?
    - 解答:根据应用需求和晶体管的最大允许集电极电流选择合适的基极驱动电流。一般情况下,选择一个使hFE保持在较高水平但不超过最大限制的值。

    总结和推荐


    综上所述,ZXTN618MA是一款高性能、低成本的20V NPN低饱和电压晶体管,非常适合需要高效、可靠解决方案的应用场合。其独特的设计和卓越的性能使其成为众多工程师的理想选择。强烈推荐给需要稳定、高效的晶体管应用的设计者和制造商。

ZXTN618MATA参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 7V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 270mV@ 125mA,4.5A
晶体管类型 NPN
最大功率耗散 2.45W
集电极截止电流 25nA
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 40V
最大集电极发射极饱和电压 270mV@ 125mA,4.5A
VCEO-集电极-发射极最大电压 20V
集电极电流 4.5A
长*宽*高 2mm*2mm*600μm
通用封装 DFN-2020B-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN618MATA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN618MATA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN618MATA ZXTN618MATA数据手册

ZXTN618MATA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30000+ ¥ 0.775
60000+ ¥ 0.7316
90000+ ¥ 0.713
150000+ ¥ 0.7006
库存: 60000
起订量: 30000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:30000
合计: ¥ 23250
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