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ZVN2110ASTOA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1个N沟道 100V 4Ω@ 1A,10V 320mA 75pF@25V TO-92-3 导线安装,通孔安装
供应商型号: ZVN2110ASTOA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 16000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN2110ASTOA

ZVN2110ASTOA概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET ZVN2110A 技术手册

    产品简介


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET(ZVN2110A)是一种高性能的场效应晶体管(FET),具有优良的导通特性和较低的导通电阻(RDS(on))。该产品适用于广泛的电力转换和控制应用,如电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 100V
    - 持续漏电流 (ID):320mA(在25°C时)
    - 脉冲漏电流 (IDM):6A
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 功率耗散 (Ptot):700mW(在25°C时)
    - 工作温度范围 (Tj):-55至+150°C
    - 电气特性(在25°C条件下,除非另有说明)
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):100V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):0.8V 至 2.4V
    - 栅体漏电流 (IGSS):20nA
    - 零栅压漏电流 (IDSS):1μA 至 100μA
    - 导通状态漏电流 (ID(on)):1.5A(在VDS=25V,VGS=10V时)
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):4Ω(在VGS=10V,ID=1A时)
    - 前向跨导 (gfs):250mS(在VDS=25V,ID=1A时)
    - 输入电容 (Ciss):75pF
    - 输出电容 (Coss):25pF
    - 反向传输电容 (Crss):8pF
    - 开启延迟时间 (td(on)):7ns
    - 上升时间 (tr):8ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):13ns
    - 下降时间 (tf):13ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性:能够承受高达100V的漏源电压,并且具有良好的温度稳定性和耐热性能。
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为4Ω,确保在大电流条件下仍能保持低功耗。
    - 高速开关性能:快速的开关速度和稳定的电气特性使其适合高频应用。
    - 兼容性好:采用TO92封装,与市场上大多数电路板兼容。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:ZVN2110A可广泛应用于直流电源转换、电池充电器、马达驱动等电力管理领域。
    - 使用建议:为了优化性能,建议在设计电路时注意散热措施,避免高温环境下长时间工作,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品支持标准TO92封装,可轻松集成到现有电路中。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定最佳的栅极电压?
    - 解决方案:根据产品特性曲线,选择合适的VGS,通常为10V左右,以确保最佳的导通性能。

    - 问题2:工作温度超出规定范围怎么办?
    - 解决方案:尽量将器件的工作温度保持在-55°C至+150°C范围内,若需更高温度应用,请咨询技术支持获取更多指导。

    总结和推荐


    ZVN2110A凭借其出色的导通特性和良好的稳定性,是电力转换和控制领域的理想选择。其低导通电阻和快速开关性能使得它在各种应用中表现出色。总体来说,我们强烈推荐这款产品给需要高性能场效应晶体管的用户。

ZVN2110ASTOA参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
栅极电荷 -
最大功率耗散 700mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 1A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 75pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
Id-连续漏极电流 320mA
配置 独立式
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

ZVN2110ASTOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN2110ASTOA数据手册

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ZVN2110ASTOA封装设计

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