处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXTP25040DZTA

ZXTP25040DZTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 350mV@ 350mA,3.5A PNP 4.46W 7V 50nA 45V 40V 3A 贴片安装
供应商型号: 30C-ZXTP25040DZTA SOT89
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTP25040DZTA

ZXTP25040DZTA概述

    ZXTP25040DZ 40V PNP Medium Power Transistor Technical Overview

    1. 产品简介


    ZXTP25040DZ 是一款专为高功率密度应用设计的小型封装双极型晶体管(PNP型)。其采用先进的工艺技术和封装设计,实现了优异的功率处理能力和性能。这种晶体管具有较高的峰值电流和较低的饱和电压,非常适合于各种空间受限的应用场合,如MOSFET和IGBT的栅极驱动、DC-DC转换器、电机驱动以及高压侧驱动等。

    2. 技术参数


    - 集电极-基极击穿电压:BCBO > -45V
    - 集电极-发射极击穿电压(正向阻断):CBO > -40V
    - 发射极-集电极击穿电压(反向阻断):ECO > -3V
    - 发射极-基极击穿电压:EBO > -7V
    - 持续集电极电流:IC > -3A
    - 基极电流:IB > -1A
    - 峰值脉冲电流:ICM > -9A
    - 功率耗散:PD > 1.1W @ TA=25°C(a)
    - 热阻:RθJA > 117°C/W
    - 工作和存储温度范围:Tj, Tstg > -55°C 至 150°C
    - 静态前向电流增益:hFE > 300 @ IC=-10mA, VCE=-2V
    - 转换频率:fT > 270 MHz @ IC=-50mA, VCE=-10V
    - 输入电容:Cibo > 142 pF @ VEB=-0.5V, f=1MHz
    - 输出电容:Cobo > 17.4 pF @ VCB=-10V, f=1MHz
    - 开启时间:t(on) > 75.5 ns
    - 关闭时间:t(off) > 320 ns

    3. 产品特点和优势


    ZXTP25040DZ的主要特点包括:
    - 高功率耗散:采用SOT89小型封装,适用于高功率应用。
    - 高峰值电流:能够处理高达9A的峰值电流,适合驱动大功率负载。
    - 低饱和电压:饱和电压低至-90mV,提高了系统的效率。
    - 反向阻断电压:具备3V的反向阻断电压,提升了系统稳定性。
    这些特点使得ZXTP25040DZ成为市场上同类产品中的佼佼者,具备较强的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXTP25040DZ在多种应用场景中表现出色,包括:
    - MOSFET和IGBT栅极驱动:可以高效地驱动这些高性能开关元件。
    - DC-DC转换器:利用其低饱和电压和高电流能力提高转换效率。
    - 电机驱动:适用于控制电动机的启动和停止,确保平稳运行。
    - 高压侧驱动:适合在高压环境中作为高压侧驱动器使用。
    使用建议:
    - 在进行电路设计时,确保提供足够的散热措施以避免过热。
    - 在选择外围元件时,考虑ZXTP25040DZ的输入和输出电容特性,以优化整体电路性能。
    - 定期检查电源电压和负载电流,确保工作在安全范围内。

    5. 兼容性和支持


    ZXTP25040DZ与广泛使用的电路板标准兼容,例如FR4材料的PCB板。厂商提供了详尽的技术文档和应用指南,客户可以通过官网或联系当地销售办公室获取进一步的支持和服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开启时间过长。
    - 解决方案:确保电源电压充足,检查外围电路是否存在阻抗过高或信号传输延迟问题。

    - 问题2:温度过高导致过热。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保工作在额定温度范围内。

    - 问题3:饱和电压异常高。
    - 解决方案:检查基极电流是否足够,必要时增加基极驱动强度。

    7. 总结和推荐


    ZXTP25040DZ凭借其出色的功率处理能力和优良的性能表现,在同类产品中脱颖而出。其紧凑的设计和高可靠性使其在众多应用场合中都能发挥出色的表现。对于需要高电流驱动和低功耗的应用,我们强烈推荐使用ZXTP25040DZ。

ZXTP25040DZTA参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 45V
配置 独立式
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
集电极截止电流 50nA
最大集电极发射极饱和电压 265mV@ 20mA @ 1A,90mV@ 100mA @ 1A,350mV@ 350mA @ 3.5A
最大功率耗散 4.46W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 350mV@ 350mA,3.5A
晶体管类型 PNP
集电极电流 3A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
4.6mm(Max)
2.6mm(Max)
1.6mm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTP25040DZTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTP25040DZTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTP25040DZTA ZXTP25040DZTA数据手册

ZXTP25040DZTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.024
50+ ¥ 1.551
1000+ ¥ 1.298
库存: 1755
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886