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ZTX1051ASTOA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: NPN 1W 5V 10nA 150V 40V 4A TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: ZTX1051ASTOA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX1051ASTOA

ZTX1051ASTOA概述


    产品简介


    ZTX1051A NPN硅平面中功率高增益晶体管
    ZTX1051A是一款中功率NPN硅平面晶体管,具有高增益、低饱和电压和低噪声的特点。这款晶体管广泛应用于紧急照明和低噪声音频等领域。由于其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,ZTX1051A特别适用于对可靠性要求极高的场合。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压:VCBO = 150 V
    - 集电极-发射极电压:VCES = 150 V, VCES = 190 V, VCES = 150 V
    - 发射极-基极电压:VEBO = 5 V
    - 峰值脉冲电流:ICM = 10 A
    - 持续集电极电流:IC = 4 A
    - 基极电流:IB = 500 mA
    - 功率耗散(Tamb=25°C):Ptot = 1 W
    - 工作和存储温度范围:Tj:Tstg = -55 to +200 °C
    电气特性(Tamb=25°C)
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO = 150 V (IC=100µA)
    - 集电极-发射极击穿电压:VCE = 40 V (IC=10mA)
    - 基极-发射极击穿电压:V(BR)EBO = 5 V (IE=100µA)
    - 集电极截止电流:ICBO = 0.3 nA (VCB=120V)
    - 发射极截止电流:IEBO = 0.3 nA (VEB=4V)
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 17 mV (IC=0.2A, IB=10mA)
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) = 920 mV (IC=4A, IB=100mA)
    - 增益:hFE = 290 (IC=10mA, VCE=2V), hFE = 440 (IC=10A, VCE=2V)
    - 转换频率:fT = 155 MHz (IC=50mA, VCE=10V)
    - 输出电容:Cobo = 27 pF (VCB=10V, f=1MHz)

    产品特点和优势


    特点
    - 高增益:高达440的增益(IC=10A),使其在信号放大方面表现出色。
    - 低饱和电压:集电极-发射极饱和电压仅为17 mV(IC=0.2A, IB=10mA),有助于减少能量损失。
    - 低噪声:出色的低噪声特性,非常适合音频应用。
    - 宽广的工作温度范围:从-55°C到+200°C,确保在极端条件下也能稳定工作。
    优势
    - 在紧急照明系统中,ZTX1051A能够提供可靠的电力控制。
    - 在低噪声音频系统中,ZTX1051A能显著提升音质,满足专业音响需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 紧急照明:ZTX1051A可用于设计和制造高性能的应急照明系统,提供可靠的电源转换。
    - 低噪声音频:在音频功放中,ZTX1051A能降低噪声干扰,提升音质。
    使用建议
    - 确保集电极电流不超过4A,以避免过载。
    - 使用时应注意散热,特别是连续运行时要避免超过1W的功耗。
    - 在高功率应用中,考虑使用热管理措施,如散热片或风扇。

    兼容性和支持


    ZTX1051A是一款与标准TO92封装兼容的晶体管,可以方便地集成到现有电路中。厂商提供详细的技术支持文档,帮助客户快速上手。此外,还可以联系Zetex的代理商和技术支持团队,获取更多应用指导和服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:晶体管在高温环境下无法正常工作。
    解决方案:检查并优化散热措施,例如增加散热片或使用风扇来降低温度。
    问题2:电源电压波动导致晶体管损坏。
    解决方案:确保电源电压稳定,并使用稳压器或其他保护电路来防止电压波动。
    问题3:晶体管噪音过大影响音频质量。
    解决方案:更换为更高性能的低噪声型号或优化电路设计,减少外部噪声源的影响。

    总结和推荐


    综上所述,ZTX1051A NPN硅平面中功率高增益晶体管凭借其高增益、低饱和电压和低噪声等特点,在紧急照明和低噪声音频等领域表现出色。它具有广泛的温度适应性和可靠的电气特性,是高性能应用的理想选择。因此,强烈推荐使用ZTX1051A晶体管,特别是在需要高可靠性和低噪音的场合。

ZTX1051ASTOA参数

参数
集电极截止电流 10nA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大功率耗散 1W
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
晶体管类型 NPN
VCBO-最大集电极基极电压 150V
最大集电极发射极饱和电压 0.21@ 100mA,4A
配置 独立式
集电极电流 4A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

ZTX1051ASTOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX1051ASTOA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX1051ASTOA ZTX1051ASTOA数据手册

ZTX1051ASTOA封装设计

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