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DMN3067LW-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mW(Ta) 12V 1.5V@ 250µA 4.6nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 67mΩ@ 2.5A,4.5V 2.6A 447pF@10V SOT-323 贴片安装
供应商型号: 30C-DMN3067LW-13 SOT323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN3067LW-13

DMN3067LW-13概述

    DMN3067LW N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    DMN3067LW 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 N-通道增强型 MOSFET。这款 MOSFET 被设计用于最小化导通电阻(RDS(ON))并保持优异的开关性能,适用于高效率功率管理应用。主要功能包括低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、小体积表面贴装封装及ESD保护栅极。此外,它完全符合RoHS指令,不含卤素和锑。

    2. 技术参数


    - 漏源电压:VDSS = 30V
    - 栅源电压:VGSS = ±12V
    - 连续漏电流:ID = 2.6A(VGS = 4.5V),2.1A(VGS = 70°C)
    - 脉冲漏电流:IDM = 10A(10μs脉冲,占空比1%)
    - 最大功率耗散:PD = 0.5W
    - 热阻:RθJA = 241°C/W(注5)
    - 工作温度范围:TJ, TSTG = -55°C至+150°C
    - 静态导通电阻:RDS(ON) = 67mΩ @ VGS = 4.5V,ID = 2.5A
    - 反向传输电容:Crss = 41pF
    - 总栅极电荷:Qg = 4.6nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:67mΩ @ VGS = 4.5V
    - 低栅极阈值电压:0.5V至1.5V
    - 低输入电容:Ciss = 447pF
    - 快速开关速度
    - 小表面贴装封装:SOT323
    - ESD保护栅极
    - 完全无铅,符合RoHS标准
    - 符合AEC-Q101标准

    4. 应用案例和使用建议


    DMN3067LW 在许多高效率功率管理应用中都有广泛应用,如开关电源和功率转换设备。例如,在一个直流电源转换应用中,可以通过优化电路布局来提高效率和稳定性。具体建议如下:
    - 保持低自加热效应:在实际应用中,确保器件散热良好,特别是在高负载条件下。
    - 合理选择驱动电路:选择合适的驱动电路可以降低功耗,提高整体性能。

    5. 兼容性和支持


    DMN3067LW 与其他标准 SOT323 封装的器件具有良好的兼容性。Diodes Incorporated 提供了详尽的技术支持文档,包括详细的电路布局和安装指南。用户可以通过 Diodes Incorporated 的网站获得最新的资料和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:器件出现过热现象。
    - 解决方法:检查电路布局,确保散热良好;使用热敏电阻监控温度。
    - 问题:漏电流过高。
    - 解决方法:确认工作电压在规定范围内;检查电路连接是否正确。

    7. 总结和推荐


    DMN3067LW 在高效率功率管理应用中表现出色,具有低导通电阻、快速开关速度和ESD保护等特点,非常适合用于要求高效能和可靠性高的场合。强烈推荐使用此器件。
    通过以上详细的技术手册内容解析,DMN3067LW 不仅满足高效率需求,而且在实际应用中具备显著的优势和灵活性,是值得信赖的选择。

DMN3067LW-13参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 447pF@10V
Rds(On)-漏源导通电阻 67mΩ@ 2.5A,4.5V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 2.6A
最大功率耗散 500mW(Ta)
通道数量 1
栅极电荷 4.6nC@ 4.5 V
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN3067LW-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN3067LW-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN3067LW-13 DMN3067LW-13数据手册

DMN3067LW-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 0.5236
500+ ¥ 0.4763
2500+ ¥ 0.4411
5000+ ¥ 0.4114
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