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ZTX849STOA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: NPN 1.2W 6V 50nA 80V 30V 5A TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
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DIODES 三极管(BJT) ZTX849STOA

ZTX849STOA概述

    ZTX849 NPN Silicon Planar Medium Power High Current Transistor

    产品简介


    ZTX849是一款适用于多种应用的NPN硅平面中功率高电流晶体管。它具有出色的连续电流承载能力,能够处理高达5安培的持续电流和高达20安培的峰值电流。由于其非常低的饱和电压,ZTX849特别适用于LCD背光转换器、闪光灯枪转换器、电池供电电路和电机驱动等应用。

    技术参数


    以下是ZTX849的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 80 V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 30 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 6 V
    - 峰值脉冲电流 (ICM): 20 A
    - 持续集电极电流 (IC): 5 A
    - 实用功耗 (Ptotp): 1.58 W
    - 在Tamb=25°C时的功耗 (Ptot): 1.2 W
    - 工作和存储温度范围 (Tj:Tstg): -55°C 至 +200°C
    - 电气特性(在Tamb = 25°C)
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 80-120 V (IC=100µA)
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CER): 80-120 V (IC=1µA, RB ≤1KΩ)
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 30-40 V (IC=10mA)
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): 68 V (IE=100µA)
    - 集电极截止电流 (ICBO): 50 nA (VCB=70V)
    - 集电极截止电流 (ICER): 50 nA (VCB=70V, Tamb=100°C)
    - 发射极截止电流 (IEBO): 10 nA (VEB=6V)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.220 V (IC=5A, IB=200mA)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 1.050 mV (IC=5A, IB=200mA)

    产品特点和优势


    - 高电流承载能力: 能够处理高达5安培的持续电流和高达20安培的峰值电流。
    - 低饱和电压: 极低的饱和电压使功耗最小化,适合用于高效能应用。
    - 宽温工作范围: 具有-55°C至+200°C的工作和存储温度范围,适用于极端环境。
    - 良好的开关特性: 具备快速的开关时间和低导通电压,提高系统的响应速度和效率。

    应用案例和使用建议


    ZTX849可以广泛应用于各种电路中,例如:
    - LCD背光转换器: 低饱和电压使其在LCD背光电路中表现出色,提高显示效果的同时降低功耗。
    - 电池供电电路: 由于其较低的功耗,适用于便携式设备。
    - 电机驱动: 优异的电流承载能力和快速的开关时间使其成为电机驱动的理想选择。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保充分考虑其热管理,特别是在高负载条件下使用时。
    - 使用合适的散热措施,如散热片或风扇,以防止过热。
    - 根据具体应用场景调整基极电阻,以优化电流放大倍数。

    兼容性和支持


    ZTX849采用E-Line TO92封装,兼容其他TO92封装的产品,方便更换。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 功耗过高,导致过热。
    - 解决方案: 确保正确安装散热片,并优化电路设计,减少不必要的电流损耗。
    2. 问题: 开关速度慢,影响系统响应。
    - 解决方案: 适当增加基极驱动电流,优化基极电阻值,提高开关速度。
    3. 问题: 过流保护失效。
    - 解决方案: 添加外部保护电路,如限流电阻或保险丝,以防止过流损坏。

    总结和推荐


    ZTX849是一款性能优越的NPN硅平面中功率高电流晶体管,适用于多种需要高电流和低功耗的应用场合。其低饱和电压、高电流承载能力和宽工作温度范围使其在市场上具备较强的竞争力。综合来看,推荐在高电流需求和对效率要求较高的应用场景中使用ZTX849。

ZTX849STOA参数

参数
集电极截止电流 50nA
VCBO-最大集电极基极电压 80V
最大集电极发射极饱和电压 220mV@ 200mA,5A
最大功率耗散 1.2W
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
集电极电流 5A
VEBO-最大发射极基极电压 6V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 独立式
晶体管类型 NPN
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

ZTX849STOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX849STOA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX849STOA ZTX849STOA数据手册

ZTX849STOA封装设计

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