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ZXMN3F31DN8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W 20V 3V@ 250µA 12.9nC@ 10V 2个N沟道 30V 24mΩ@ 7A,10V 5.7A 608pF@15V SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.5mm
供应商型号: 30C-ZXMN3F31DN8TA SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA概述

    ZXMN3F31DN8 30V SO8 双N沟道增强型MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN3F31DN8 是一款来自 Zetex Semiconductors plc 的新一代沟槽MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高性能应用。这款产品采用SO8封装,具有低导通电阻(RDS(on))的特点,并且能够在4.5V的门极驱动电压下运行。它广泛应用于直流到直流转换器、电源管理功能、负载切换、电机控制及背光等领域。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS): 30V
    - 持续漏电流(@ VGS=10; TA=25°C): 7.3A
    - 导通电阻(@ VGS=10V, ID=7.0A): 0.024Ω
    - 导通电阻(@ VGS=4.5V, ID=6.0A): 0.039Ω
    - 输入电容(Ciss): 608pF
    - 输出电容(Coss): 132pF
    - 门极电荷(Qg): 12.9nC
    - 翻转恢复时间(trr): 12ns
    - 热特性:
    - 结点到环境热阻(@ TA=25°C, 单个器件): 100°C/W
    - 结点到环境热阻(@ TA=25°C, 双器件): 70°C/W
    - 结点到引脚热阻:53°C/W
    - 工作环境:
    - 工作温度范围(Tj, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: ZXMN3F31DN8 具有出色的导通电阻,使得它在大电流环境下依然保持高效性能。
    2. 低门极驱动电压: 仅需4.5V的门极驱动电压即可正常工作,使得它适合用于低压供电的应用场景。
    3. 高速开关性能: 该器件具备优异的开关特性,包括低延迟时间和快速上升时间,适合高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    ZXMN3F31DN8 在多种场合下都有良好的表现,例如在直流到直流转换器中可以有效提升效率,在负载切换和电机控制应用中能够提供稳定的输出。在使用时,为了确保最佳性能,建议按照推荐的门极驱动电压和电流进行操作,并注意散热设计以避免过热。

    兼容性和支持


    ZXMN3F31DN8 能够与标准SO8封装的电路板兼容。Zetex Semiconductors 提供全面的技术支持和服务,包括应用指南和故障排除文档,确保客户在使用过程中得到充分的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 导通电阻过高: 问题原因可能是门极驱动电压不足或者散热不良。解决方法是检查门极驱动电路并优化散热设计。
    2. 高温下性能下降: 可能由于结点温度超过了推荐的工作范围。建议加强散热措施或选择散热更好的散热器。
    3. 开关速度慢: 可能是因为门极电容过大或者门极驱动不足。可以尝试减小门极电容或者提高驱动电流。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN3F31DN8 是一款高性能的双N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、低门极驱动电压和优异的开关性能,适合在多种应用场合中使用。它的主要优势在于出色的导通电阻和低功耗性能。推荐在需要高性能直流到直流转换器、负载切换和电机控制的场合中使用。同时,建议用户仔细阅读技术手册中的使用说明和注意事项,以确保最佳性能和长期稳定性。

ZXMN3F31DN8TA参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 7A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 608pF@15V
最大功率耗散 2.1W
配置
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 5.7A
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
栅极电荷 12.9nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 5mm*4mm*1.5mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3F31DN8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3F31DN8TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3F31DN8TA ZXMN3F31DN8TA数据手册

ZXMN3F31DN8TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.729
50+ ¥ 2.86
500+ ¥ 2.387
10000+ ¥ 2.376
15000+ ¥ 2.365
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