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ZVNL110A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 320 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: ZVNL110A
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVNL110A

ZVNL110A概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET: ZVNL110A

    产品简介


    ZVNL110A 是一种N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET),具有出色的电性能和可靠性。这种类型的晶体管被广泛应用于电源管理和控制电路,特别是在高效率开关电源的设计中。它的主要功能包括在高电压下切换大电流的能力,这使得它在许多工业和消费电子产品中非常受欢迎。

    技术参数


    以下是ZVNL110A的主要技术规格和技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 栅极-源极击穿电压 | 100 V | ID=1mA, VGS=0V |
    | 栅极-源极阈值电压 | 0.75 | 1.5 | V | ID=1mA, VDS=VGS |
    | 漏极-源极漏电流 | 10 | 500 | µA/µA | VDS=100V, VGS=0V |
    | 漏极-源极漏电流 | 750 mA | VDS=25V, VGS=5V |
    | 零栅极电压漏极电流| 10 | 500 | µA/µA | VDS=100V, VGS=0V, T=125°C |
    | 开启状态漏极电流 | 750 mA | VDS=25V, VGS=5V |
    | 导通电阻 | 4.5 | 3.0 | Ω | VGS=5V, ID=250mA, VGS=10V, ID=500mA |
    | 输入电容 | 75 pF | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |
    | 输出电容 | 25 pF | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |
    | 反向传输电容 | 8 pF | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |

    产品特点和优势


    ZVNL110A 在高电压和大电流环境下表现卓越,且具有低阈值电压,这些特点使其成为许多应用的理想选择。具体的优势包括:
    - 高耐压能力:100V的漏极-源极电压(VDS)使其能够承受较高的电压波动。
    - 低导通电阻:导通电阻(RDS(on))仅为3Ω,这意味着在工作时的功耗较低,有助于提高系统的整体效率。
    - 快速开关时间:低延迟时间(td(on) 和 td(off))和短的上升时间(tr)及下降时间(tf)保证了快速的开关响应速度。

    应用案例和使用建议


    ZVNL110A 广泛应用于各种电源管理电路,如开关电源、直流电机驱动和电池充电器等。例如,在一个典型的开关电源设计中,ZVNL110A可以用于主开关管,以实现高效且可靠的功率转换。
    使用建议:
    - 在进行电路设计时,确保充分考虑其最大工作电压(100V)和最大连续电流(320mA),避免过载。
    - 为了获得最佳性能,建议在开关频率不超过1MHz的情况下使用。

    兼容性和支持


    ZVNL110A 的封装与TO92兼容,方便在现有设计中直接替换。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    1. 问题:设备工作时温度过高。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保电路板有足够的散热面积。

    2. 问题:设备无法正常关断。
    - 解决方案:确认栅极-源极电压(VGS)已正确设置为0V,确保完全关断。

    3. 问题:设备启动时有噪音。
    - 解决方案:检查电源线是否有噪声干扰,考虑添加滤波电容来改善情况。

    总结和推荐


    综上所述,ZVNL110A是一款具备高性能和高可靠性的N沟道增强型垂直DMOS FET,适用于多种高要求的应用场景。其优异的电性能和稳定性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐在需要高效率和高可靠性的场合使用这款产品。

ZVNL110A参数

参数
栅极电荷 -
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA
最大功率耗散 700mW(Ta)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 75pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 320mA
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 500mA,10V
通道数量 1
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVNL110A厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVNL110A数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVNL110A ZVNL110A数据手册

ZVNL110A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 4.0882
5000+ ¥ 3.8537
8000+ ¥ 3.7866
12000+ ¥ 3.7531
库存: 40000
起订量: 4000 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:2500
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