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ZXTN5551ZTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: NPN 1.2W 6V 50nA 180V 160V 600mA SOT-89-3 贴片安装 4.6mm*2.6mm*1.6mm
供应商型号: AV-S-DIIZXTN5551ZTA
供应商: Avnet
标准整包数: 1000
DIODES 三极管(BJT) ZXTN5551ZTA

ZXTN5551ZTA概述

    ZXTN5551Z 高压NPN晶体管技术手册

    1. 产品简介


    ZXTN5551Z 是一款SOT89封装的高压NPN晶体管,专为高电压放大应用而设计。它的基本特性包括:
    - 型号: ZXTN5551Z
    - 最高电压: BVCEO > 160V
    - 连续集电极电流: IC(cont) = 600mA
    - 功率消耗: PD = 1.2W
    - 互补型号: ZXTP5401Z

    2. 技术参数


    以下是ZXTN5551Z的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 最大集电极-基极电压: VCBO = 180V
    - 最大集电极-发射极电压: VCEO = 160V
    - 最大发射极-基极电压: VEBO = 6V
    - 最大连续集电极电流: IC = 600mA
    - 最大功耗 (TA = 25°C): PD = 1.2W
    - 结到环境热阻 (RθJA): 104°C/W
    - 工作及存储温度范围: Tj, Tstg = -55至150°C
    - 电气特性
    - 最大集电极-基极击穿电压: BVCBO = 180V
    - 最大集电极-发射极击穿电压: BVCEO = 160V
    - 最大发射极-基极击穿电压: BVEBO = 6V
    - 集电极截止电流: ICBO <1nA
    - 集电极-发射极饱和电压: VCE(sat) = 65mV (IC = 10mA, IB = 1mA)
    - 基极-发射极饱和电压: VBE(sat) = 760mV (IC = 10mA, IB = 1mA)
    - 静态正向电流增益: hFE = 80-145 (IC = 10mA, VCE = 5V)
    - 转换频率: fT = 130MHz (IC = 10mA, VCE = 10V)
    - 输出电容: COBO = 6pF (VCB = 10V, f = 1MHz)

    3. 产品特点和优势


    - 160V额定电压:能够在高电压环境中稳定工作,适用于多种高电压应用。
    - SOT89小封装:占用空间小,适合小型化设计。
    - 高电流能力:最大连续集电极电流达600mA,适合需要较大驱动电流的应用。
    - 高性能参数:具有较高的转换频率和较低的饱和电压,保证了良好的开关特性和驱动能力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高电压放大器: 用于需要高压输入信号放大的电路,如工业控制系统、通信设备等。
    - 逆变器: 在电源转换器中作为开关器件,实现电压的升压或降压操作。
    使用建议:
    - 散热管理:由于功率消耗较大,应确保适当的散热措施,以避免过热导致的损坏。
    - 电路设计:在设计包含ZXTN5551Z的电路时,需考虑其最大电压和电流限制,避免超载。

    5. 兼容性和支持


    ZXTN5551Z是一款专门设计用于高电压环境的NPN晶体管,理论上可以与大多数需要高压NPN晶体管的电路兼容。Zetex公司提供了全球化的技术支持和服务网络,可通过其销售办公室获得进一步的支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 晶体管在高电压环境下容易发热吗?
    - A: 是的,因此建议添加散热片或采用有效的散热方式,例如安装风扇。

    - Q: 如何测试晶体管的工作状态?
    - A: 可通过万用表测量其基极、发射极和集电极之间的电压和电流来判断其是否正常工作。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    - 优点: 高电压耐受、高电流能力、优秀的电气性能和小封装尺寸,使其成为许多高电压应用的理想选择。
    - 不足: 目前已经不推荐用于新设计,取而代之的是更新的产品DXT5551。
    推荐:
    尽管ZXTN5551Z仍可用于支持现有设计和生产,但对于新的设计项目,建议使用更新的型号DXT5551。

ZXTN5551ZTA参数

参数
集电极截止电流 50nA
配置 独立式
最大集电极发射极饱和电压 200mV@ 5mA,50mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
晶体管类型 NPN
集电极电流 600mA
VCBO-最大集电极基极电压 180V
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大功率耗散 1.2W
长*宽*高 4.6mm*2.6mm*1.6mm
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

ZXTN5551ZTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN5551ZTA数据手册

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ZXTN5551ZTA封装设计

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