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ZXMP6A16DN8QTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.15W 20V 1V@ 250µA (Min) 24.2nC@ 10V 2个P沟道 60V 85mΩ@ 2.9A,10V 2.9A 1.021nF@30V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: ZXMP6A16DN8QTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 500
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP6A16DN8QTA

ZXMP6A16DN8QTA概述

    ZXMP6A16DN8Q DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMP6A16DN8Q 是一款双极P沟道增强模式MOSFET,主要用于高效率电源管理应用。它集成了低导通电阻(低Rds(on))、快速开关速度、低门限电压、低门极驱动等特性,特别适用于直流到直流转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制等领域。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 漏源电压(VDSS): -60V
    - 持续漏电流(ID): -3.9A (TA = +25°C),-3.1A (TA = +70°C)
    - 脉冲漏电流(IDM): -18.3A
    - 持续源电流(IS): -3.2A
    - 脉冲源电流(ISM): -18.3A
    - 电气特性:
    - 栅阈电压(VGS(th)): -1V (ID = -250μA, VDS = VGS)
    - 导通电阻(RDS(ON)): 85mΩ (VGS = -10V, ID = -2.9A), 125mΩ (VGS = -4.5V, ID = -2.4A)
    - 输入电容(Ciss): 1021pF (VDS = -30V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss): 83.1pF (同上条件)
    - 逆向传输电容(Crss): 56.4pF (同上条件)
    - 总门极电荷(Qg): 12.1nC (VGS = -5V, VDS = -30V, ID = -2.9A)
    - 热特性:
    - 最大功耗(PD): 1.25W
    - 热阻 (Junction to Ambient, RθJA): 100°C/W (标准测试条件下)
    - 热阻 (Junction to Lead, RθJL): 48.85°C/W

    产品特点和优势


    ZXMP6A16DN8Q 的独特之处在于其极低的导通电阻、快速的开关速度以及低门限电压。这些特性使其非常适合于高效率电源管理和高可靠性要求的应用场景。此外,它采用低轮廓SOIC封装,易于焊接和安装,并且符合无铅工艺要求和RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    ZXMP6A16DN8Q 主要应用于直流到直流转换器和电源管理系统中。例如,在一个典型的电源管理模块中,该MOSFET可用于实现高效稳定的电源输出。对于高可靠性应用,可以采用双极设计以提高系统的稳定性。使用时,应根据具体应用场景选择合适的栅源电压和工作温度范围,确保其在最佳状态下运行。

    兼容性和支持


    ZXMP6A16DN8Q 与大多数标准电路板设计兼容,可以方便地集成到现有的系统中。Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和售后服务,包括PPAP能力认证和AEC-Q101高可靠性标准,确保用户获得高品质的产品和服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 产品在高温环境下工作时,性能下降。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,确保设备在工作过程中能够有效散热。
    2. 问题: 开关频率过高导致功耗增加。
    - 解决方案: 降低开关频率,或采用更好的散热措施,减小热影响。
    3. 问题: 设备出现意外短路。
    - 解决方案: 检查电路连接,确认所有接线正确无误,防止短路情况发生。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMP6A16DN8Q 是一款高性能、高可靠性的P沟道增强模式MOSFET,适用于多种电源管理应用。其优秀的电气特性和热特性使得它在各种复杂的工作环境中都能保持稳定的表现。因此,我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效电源管理的系统中。

ZXMP6A16DN8QTA参数

参数
栅极电荷 24.2nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA (Min)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.021nF@30V
通道数量 2
FET类型 2个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置
最大功率耗散 2.15W
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 2.9A,10V
Id-连续漏极电流 2.9A
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP6A16DN8QTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP6A16DN8QTA数据手册

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ZXMP6A16DN8QTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 8.1766
5000+ ¥ 7.7074
8000+ ¥ 7.5734
12000+ ¥ 7.5064
库存: 5000
起订量: 2500 增量: 500
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