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ZTX957STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 200mV@ 300mA,1A PNP 1.2W -6V 50nA -330V 300V 1A EP-3SC 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: AV-S-DIIZTX957STZ
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX957STZ

ZTX957STZ概述

    ZTX957 PNP Silicon Planar Medium Power High Current Transistor

    1. 产品简介


    ZTX957是一款PNP硅平面中功率高电流晶体管,适用于多种应用场合。它具有1安培的连续电流能力和高达2安培的峰值电流能力,特别适用于需要大电流驱动的应用场景。ZTX957采用了先进的设计和技术,使其在低饱和电压和优良的增益特性方面表现出色,从而在广泛的工业和消费电子产品中获得广泛应用。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO):-330 V
    - 集电极-发射极电压 (VCER, VCEO):-330 V(IC=-1μA时),-300 V(IC=-10mA时)
    - 发射极-基极电压 (VEBO):-6 V
    - 峰值脉冲电流 (ICM):-2 A
    - 连续集电极电流 (IC):-1 A
    - 实际功耗 (Ptotp):1.58 W(典型PCB安装)
    - 功耗 (Ptot):1.2 W(环境温度为25°C)
    - 工作和存储温度范围 (Tj:Tstg):-55至+200 °C
    - 电气特性(25°C时):
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO):-330 V(IC=-100μA时)
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO):-300 V(IC=-10mA时)
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO):-6 V(IE=-100μA时)
    - 集电极截止电流 (ICBO):-50 nA(VCB=-300V时)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):-140 mV(IC=-1A, IB=-300mA时)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)):-870 mV(IC=-1A, IB=-300mA时)
    - 基极-发射极开启电压 (VBE(on)):-850 mV(IC=-1A, VCE=-10V时)
    - 静态正向电流传输比 (hFE):200(IC=-1A, VCE=-10V时)
    - 转换频率 (fT):85 MHz(IC=-100mA, VCE=-10V时)
    - 热特性:
    - 结到环境热阻 (Rth(j-amb)):150 °C/W
    - 结到外壳热阻 (Rth(j-case)):50 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低饱和电压:ZTX957具有非常低的饱和电压,这意味着在高电流操作下,其能量损失更小,效率更高。
    - 优异的增益特性:在高达1安培的电流下,ZTX957表现出优良的增益特性,这使其在各种应用中表现优异。
    - 宽工作温度范围:ZTX957可以在-55至+200 °C的温度范围内正常工作,适合在极端环境下使用。
    - 可用SPICE模型:ZTX957提供了SPICE模型,便于进行电路模拟和设计验证。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:ZTX957广泛应用于开关电源、电机驱动、电信设备等领域。例如,在电机驱动应用中,它可以有效地控制和调节电机的电流,提高系统稳定性。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,应避免超过绝对最大额定值。在高电流应用中,建议采用合适的散热措施,以降低热阻并防止过热。此外,建议使用符合标准的PCB布局和接地策略,以减少噪声和干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ZTX957与TO-92封装兼容,可以轻松替换现有的类似型号,如ZTX957。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和SPICE模型,有助于工程师进行设计和调试。同时,技术支持团队随时提供帮助,解答用户在使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流操作时,晶体管过热。
    - 解决方案:增加散热片或使用散热风扇,确保良好的散热条件。
    - 问题2:输出信号不稳定。
    - 解决方案:检查PCB布局,确保接地良好且没有过多的噪声干扰。
    - 问题3:晶体管在低温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:选择更适合低温环境的晶体管型号,或增加加热装置以维持适宜的工作温度。

    7. 总结和推荐


    ZTX957是一款高性能的PNP硅平面中功率高电流晶体管,适用于多种工业和消费电子应用。其低饱和电压、优良的增益特性、宽工作温度范围以及SPICE模型的可用性使其在市场上具有显著的竞争优势。建议在需要高电流驱动的应用中使用此产品,并遵循上述使用建议以实现最佳效果。

ZTX957STZ参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 -330V
集电极截止电流 50nA
配置 独立式
集电极电流 1A
晶体管类型 PNP
VEBO-最大发射极基极电压 -6V
最大功率耗散 1.2W
VCEO-集电极-发射极最大电压 300V
最大集电极发射极饱和电压 0.2@ 300mA,1A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 200mV@ 300mA,1A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 盒装,弹夹装

ZTX957STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX957STZ数据手册

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ZTX957STZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.4423 ¥ 3.9142
6000+ $ 0.4383 ¥ 3.8793
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起订量: 2000 增量: 2000
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