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ZXTP2039F

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 350mW 5V 80V 60V 1A SOT-23 贴片安装
供应商型号: ET-1251228
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
DIODES 三极管(BJT) ZXTP2039F

ZXTP2039F概述

    ZXTP2039F PNP Silicon Planar Medium Power Transistor

    1. 产品简介


    ZXTP2039F 是一款采用 SOT23 封装的 80 伏特 PNP 硅平面中功率晶体管。它结合了高增益、高电流操作和低饱和电压的特点,使其非常适合于功率 MOSFET 门驱动及低损耗电源开关的应用。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): -80 V
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEV} \): -80 V
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): -60 V
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \): -5.0 V
    - 峰值脉冲电流 \( I{CM} \): -2 A
    - 连续集电极电流(在 15mm x 15mm FR4 PCB 上):-1 A
    - 基极电流 \( I{BM} \): -1 A
    - 功率耗散(在 25°C 条件下):350 mW
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 电气特性(在 25°C 下):
    - 集电极-基极击穿电压 \( V{(BR)CBO} \): -80 V (IC = -100 µA)
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{(BR)CEV} \): -80 V (IC = -1 A)
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{(BR)CEO} \): -60 V (IC = -10 mA)
    - 发射极-基极击穿电压 \( V{(BR)EBO} \): -5 V (IE = -100 µA)
    - 静态正向电流传输比 \( h{FE} \):
    - IC = -1 mA, VCE = -5 V: 100
    - IC = -500 mA, VCE = -5 V: 80
    - IC = -1 A, VCE = -5 V: 300
    - IC = -2 A, VCE = -5 V: 15
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CE(sat)} \):
    - IC = -100 mA, IB = -2 mA: -0.2 V
    - IC = -500 mA, IB = -50 mA: -0.3 V
    - IC = -1 A, IB = -100 mA: -0.6 V
    - 基极-发射极饱和电压 \( V{BE(sat)} \):
    - IC = -1 A, IB = -100 mA: -1.2 V
    - 基极-发射极导通电压 \( V{BE(on)} \):
    - IC = -1 A, VCE = -5 V: -1.0 V
    - 转换频率 \( fT \):
    - IC = -50 mA, VCE = -10 V, f = 100 MHz: 150 MHz
    - 输出电容 \( C{ob} \):
    - VCB = -10 V, f = 1 MHz: 10 pF

    3. 产品特点和优势


    ZXTP2039F 的特点包括:
    - 低饱和电压,减少功耗。
    - 支持高达 1 至 2 安培的大电流操作能力。
    - 无铅设计。
    - SOT23 封装,便于集成到多种应用中。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用领域:功率 MOSFET 门驱动及低损耗电源开关。
    - 使用建议:
    - 在进行功率转换时,确保满足连续集电极电流的要求。
    - 使用低饱和电压特性以降低功耗,提高系统效率。
    - 确保基极驱动电流不超过峰值脉冲电流限制,避免损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ZXTP2039F 可与现有的 SOT23 封装电路板兼容。
    - 支持:Zetex Semiconductors 提供详尽的技术文档和技术支持服务,用户可通过其官网或联系当地的销售代表获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何避免在高温环境下过热?
    - 解决方案:确保在高温条件下工作时,保持适当的散热措施,如增加散热片或使用强制冷却系统。

    - 问题 2:如何选择合适的基极驱动电流?
    - 解决方案:根据应用需求,选择符合连续集电极电流要求的基极驱动电流,确保不会超过峰值脉冲电流限制。

    7. 总结和推荐


    ZXTP2039F 结合了高性能和高可靠性,适用于多种应用场合,尤其适合需要高效功率转换的系统。考虑到其优异的技术参数和市场竞争力,强烈推荐在相关应用中使用此产品。

ZXTP2039F参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 80V
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大功率耗散 350mW
集电极截止电流 -
集电极电流 1A
VEBO-最大发射极基极电压 5V
晶体管类型 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级

ZXTP2039F厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTP2039F数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTP2039F ZXTP2039F数据手册

ZXTP2039F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ $ 0.2788 ¥ 2.3562
100+ $ 0.145 ¥ 1.2255
500+ $ 0.1256 ¥ 1.0617
1000+ $ 0.1192 ¥ 1.007
5000+ $ 0.1166 ¥ 0.9855
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