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ZXMHC10A07T8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1.1 A,800 mA, SOT-223封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: ZXMHC10A07T8TA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA概述


    产品简介


    ZXMHC10A07T8 是一款由 Diodes Incorporated 推出的新一代互补型增强模式 MOSFET H 桥模块,适用于高压电路的高效应用。其核心特点为包含两个 N 沟道和两个 P 沟道 MOSFET 器件,集成于一个标准 SOIC 封装内,能够实现低导通电阻和高开关速度,广泛应用于直流电机控制、DC-AC 逆变器等领域。作为绿色产品,该模块符合 RoHS 标准且不含卤素和锑元素。

    技术参数


    | 参数类别 | 项目 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 额定电压 | N 沟道 / P 沟道 | 100 100 | V
    | 导通电阻 | N 沟道 0.7 | 0.9 | Ω | VGS = 10V/6V, ID = 1.5A/1.0A |
    P 沟道 1.0 | 1.45 | Ω | VGS = -10V/-6V, ID = 0.6A/0.5A |
    | 最大持续电流 | N 沟道 1.1 | 1.4 | A | VGS = 10V |
    P 沟道 -0.8 | -1.3 | A | VGS = -10V |
    | 工作温度范围 | 结温 | -55 +150 | °C
    | 热阻抗(稳态) | 结至环境 | 94.5 73.3 | °C/W | 25°C 基准条件 |

    产品特点和优势


    ZXMHC10A07T8 的主要优势体现在以下方面:
    1. 低导通电阻:典型值仅为 0.7 Ω(N 沟道,VGS = 10V),显著降低功耗并提高效率。
    2. 高速开关性能:得益于快速开关特性和低输入电容,非常适合高频应用场合。
    3. 环保设计:符合 RoHS 标准,且不含卤素和锑元素,符合绿色制造要求。
    4. 封装紧凑:采用标准 SOIC 封装(SM-8),便于布局与集成,同时具有出色的机械耐久性。
    5. 可靠性高:工作温度范围宽广,适用于严苛环境下的工业与消费级应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 直流电机控制:可直接驱动无刷直流电机,提供平滑的调速和转矩输出。
    - DC-AC 逆变器:用于功率变换和逆变输出,适用于光伏系统或小型逆变器设计。
    使用建议
    1. 在使用 ZXMHC10A07T8 构建 H 桥时,确保两个 N 沟道和 P 沟道管脚正确连接,避免极性反接导致器件失效。
    2. 在高频开关场景下,应注意电源线的去耦处理,以减少电磁干扰(EMI)。
    3. 高温环境下使用时,需额外加强散热措施以确保结温稳定。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXMHC10A07T8 可与多种微控制器、逆变器驱动芯片配合使用,适合多种电路拓扑结构。
    - 支持服务:Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档与应用指南,用户可访问官网下载相关资料。如有问题,可联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查电路中是否存在寄生电感或电容过高的现象,适当减小外置栅极电阻。 |
    | 热稳定性差 | 增加外部散热片,或优化 PCB 布局以改善热传导路径。 |
    | 开机时出现异常噪声 | 检查电路是否已正确接地,或添加滤波电容消除干扰信号。 |

    总结和推荐


    ZXMHC10A07T8 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET H 桥模块,特别适合需要低损耗、高效率的功率电子应用。其卓越的热管理和紧凑封装使其成为众多行业的理想选择。基于上述特点与技术参数,我们强烈推荐该产品用于需要精密控制和高效转换的领域。

    最终评价:
    ⭐️⭐️⭐️⭐️⭐️ (5/5 星)

ZXMHC10A07T8TA参数

参数
通道数量 4
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2N+2P沟道
配置 quad
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 2.9nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 138pF@ 60V,141pF@ 50V
Id-连续漏极电流 1A,800mA
最大功率耗散 1.3W
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 1.5A,10V
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.6mm
通用封装 SM-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMHC10A07T8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMHC10A07T8TA数据手册

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ZXMHC10A07T8TA封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 7.5872
5000+ ¥ 7.1519
8000+ ¥ 7.0275
12000+ ¥ 6.9653
库存: 10000
起订量: 2500 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:2500
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